創成・評価を行ってきた。この薄膜の高性能超伝導エレクトロニクス材料としての優位性を明らかにするために、基礎物性評価として超伝導特性と伝導度の関係をin-situ抵抗-温度測定により調べたところ、T_c>20Kにおいて伝導率σ>4x10^2S/cm、抵抗温度係数TCR>1.5x10^3K^<-1>ということを初めて明らかにした。それらが正相関であることから、これまで作成してきた(Cu,C)-1201超伝導薄膜はアンダードープから最適ドープ間であり、更にT_c=が向上することが示唆された。高温超伝導薄膜を応用する際に問題となる超伝導異方性に関係する電荷供給層の電子状態をin-situ光電子分光により調べたところ、T_c=40Kの試料の価電子帯スペクトルが高温超電導体の中で最も高い荷電状態を有するYBCOと同程度であることを明らかにした。して有望であるとともに、人工格子法を用いた電子構造や異方性制御を行うための超伝導ブロックとしても有望であると考えられる。