ボンディング性ボンディング性ボンディングは、半導体素子の結合や組み立に不可欠な接合技術です。半導体素子のことをダイといいますが、これをパッケージなどの基板に固定することをダイボンディングといっています。半導体チップのパッドと外部接続パッド間を金線や銀線を溶接して接合することをワイアボンディングといっています。はんだ付け性と同様に濡れ性の制御がキーポイントです。・半導体素子の電極部とパッケージ側の接続部(リード)を熱圧着または超音波圧着する際には、表面酸化のない金合金めっきが施されています。・半導体関係で、溶接やろう付けが要求される箇所には無電解ニッケルめっきが行われています。)・ボンディングは、Au-Si2元合金状態図に示すように、共晶温度約400°C付近で行われています。