1は、発光体の発光強度を増強するために用いられ、基板2と、基板2の表面に配設され、シリコンからなる複数のSiナノ粒子3により構成されたナノ粒子層4とを備えている。ナノ粒子層4は、光が照射されることによって局在電場を発生する。近年、有機EL素子等の発光素子の性能を向上するために、発光体から発生する光の強度を増強する方法について種々の研究が行われている。中でも、金属ナノ粒子を用いて、それが生じる表面プラズモンを利用した発光強度の増強方法についての研究が多く行われている。バイオチップに用いて、光の強度を増強する手段として期待されている。表面プラズモンとは、金又は銀等の金属のナノ粒子に対して光が照射されると、その表面の自由電子の集団振動により強い局在電場が生じる現象をいう。このような局在電場のエネルギーは発光体を強く励起して、発光体の光強度が数十倍程度増強されることがこれまでに多く報告されている。従来の多くの研究では、表面プラズモンにより光強度を増強するために、金又は銀等の金属ナノ粒子が用いられており、その理由は、上記のように、光強度を増強する局在電場は自由電子の集団振動によって生じるため、多くの自由電子を有する金属を用いることで、より強い局在電場を得ることができると考えられるからである。発光体をより励起させるために発光体と金属ナノ粒子とを接近させ過ぎると、発光体内で励起されたエネルギーが金属ナノ粒子に移動して、光強度が低減する現象(消光)が起こる。この消光によって金属ナノ粒子による発光の増強度を著しく低減することとなる。発光体と金属ナノ粒子との間の距離がナノメートルスケールになると、発光体から金属ナノ粒子へのエネルギー移動が顕著となり、消光による発光の増強度の低減も顕著となる。このような消光を抑制するために、発光体と金属ナノ粒子との距離を大きくしたり、それらの間にスペーサを導入したりする方法が知られている(例えば、非特許文献1等を参照。消光を抑制するために、発光体と金属ナノ粒子との間にスペーサを導入すると、そのスペーサにより金属ナノ粒子の自由電子によって生じる局在電場の強度も低減し、その結果、発光強度が低減することとなる。このような方法の他に、間接遷移型の半導体であるガリウムリン(GaP)からなる微粒子を用いることにより、有機色素であるローダミンの発光強度を数十倍から100倍程度まで増強できることが非特許文献2に提示されている。GaP微粒子は、光照射により生成した散乱光を発生する局在電場により発光体を励起できることに加えて、消光を抑制できるため、金属ナノ粒子を用いた場合と同等の増強度を示すと示唆されている。消光の抑制は、GaPが間接遷移型半導体であるため、励起された発光体からGaP微粒子へのエネルギー移動を防ぐことができることによると考えられている。本発明は、発光増強基板及び発光素子に関し、特にナノ粒子を利用した発光増強基板及び発光素子に関する。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。