modeling)ベースのハードウエア・エミュレータを開発した。従来のシステム開発では、ReRAMの実デバイスが出来上がってから開発を行う必要があった。Cでモデル化しており、ReRAMという新しいデバイスが開発途上であっても、システムレベルの性能等を先行して評価できる。以下では、提案するハイブリッドSSDと従来のNANDフラッシュ・メモリのみを使用したSSDの性能、電力、書き換え回数の比較を行う。cell)品を仮定している。NANDフラッシュ・メモリのデータ断片化が抑制されていることが分かる(図10)。三つのコントローラ・アルゴリズムによって、小さくかつ頻繁にアクセスされるデータをReRAMに書き込んだ結果といえる。緑が有効なデータ領域(ページ)である。従来のNANDフラッシュのみを用いたSSDでは、データがNANDフラッシュの全領域にわたって分散して記憶され、データの断片化が起こっている。ReRAMを組み合わせた今回のSSDではNANDフラッシュ・メモリの断片化が抑制されている。[画像のクリックで拡大表示]書き込み性能について検討した結果が図11である。従来のSSDに比べて書き込み性能が11倍に向上した。cell)NANDフラッシュ・メモリを使用したSSDについても評価を加えている。NANDフラッシュ・メモリに比べて、容量は半分だが、高速でかつ書き換え寿命が長い。NANDフラッシュ・メモリではSSDの書き込み性能はほとんど改善しなかった。NANDフラッシュ・メモリに小さなデータを書き込むと、SLC自体が断片化してしまうからである。この結果から高速のReRAMを用いることの重要性が分かる。書き込み性能を11倍に向上ReRAMを用いることで書き込み性能を11倍に改善できた。NANDフラッシュを用いた場合は書き込み性能がほとんど改善されない。※コメントの掲載は編集部がマニュアルで行っておりますので、即時には反映されません。コメントを受け付けましたコメントを受け付けました。ご協力いただき、ありがとうございます。投稿していただいたコメントは、編集部が査読した上で公開します。即時公開はされません。明らかな間違いや不適切な表現があった場合、原文の意図を損なわないと思われる範囲内で変更をさせていただく場合があります。内容がふさわしくないと判断した場合、公開後でも削除する場合があります。Reserved.このページに掲載されている記事・写真・図表などの無断転載を禁じます。著作権は日経BP社、またはその情報提供者に帰属します。表示切替:スマホ|パソコン。