真空槽内に被処理物体を置いてプラズマを発生させると、被処理物体の近傍にイオンリッチなイオンシースと呼ばれる領域が形成され、イオンシースを介してイオンが被処理物体の表面に向けて垂直に加速される。そこで、この現象を利用することにより、複雑形状の三次元物体の表面をエッチング処理したり、イオンドーピング処理したり、薄膜を形成したりすることができる(たとえば特公昭53-44795号公報)。以下の説明において、これらの処理を一括して物体の加工処理という。従来のこの種の加工処理装置は、被処理物体を収容する真空槽内に原料ガスを連続的に導入し、数10~数100MHzの高周波電力または数GHzのマイクロ波電力を投入することによって原料ガスを連続的に電離させ、プラズマを生成させるものである。金属イオンを利用するときは、アルゴンなどのイオンまたはプラズマにより金属材料をスパッタリングして金属イオンを放出させ、金属イオンビームとして真空槽内の被処理物体に衝突させる方法も知られている。産業上の利用分野この発明は、三次元の複雑形状の被処理物体であっても、表面に均一な薄膜を形成し、または均一なイオンドーピング処理等をすることができる物体の加工処理方法と、その装置に関する。W.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、「問合せ先」まで直接お問合せ下さい。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。