歪の導入による半導体光増幅器の低雑音化を目的としている。雑音特性の理論解析を行った。解析結果から、量子化次元を減少するにつれて反転分布パラメタは減少し、雑音指数は、量子箱構造で理論最低値(3dB)に近い3.3dBが得られることが示された。急唆になり、自然放出雑音の等価帯域幅が小さくなる。これによってフィルターを入れたのと同様の効果が得られ、自然放出光間ビート雑音が大幅に低減できることが示された。量子箱構造においては、光フィルターなしで低雑音光増幅器として動しできる可能性があることが明かとなった。歪量子井戸を活性層に導入した半導体光増幅器の雑音特性の理論解析から、量子井戸構造においても歪を導入することによって量子細線程度の低雑音特性が得られることが明らかとなった。用いて、GaInAs/InP量子細線の試作を行い、その室温PL発光特性を調べた。その結果、サイズ効果に伴うPLピーク波長のブルーシフト及び、量子薄膜とは異なる量子細線固有の偏波異方性を確認した。以上より、この新作製法によって、半導体光増幅器の活性媒質としては十分な密度の量子細線が作製可能であり、また、室温で量子細線効果が現れるような極微細な量子細線が作製可能であることが示された。