Abstract金属中に打込まれた陽電子の状態は金属試料中の原子空孔、点欠陥などイオン密度の低い格子欠陥に非常に敏感である。半導体などの加工が微細化されるにつれ、結晶の欠陥の制御が重要になってきている。半導体中の結晶欠陥はその荷電状態がフェルミ準位によって異なるので、複雑である。温度とともにフェルミ準位が変化し、それによって、結晶欠陥の荷電状態も変化する。n型およびp型シリコンを30MeVの電子線で液体窒素温度で照射し、原子空孔をつくり、不純物と原子空孔との相互作用を試料温度を上げながら陽電子寿命、ドップラー広がりを測定して、解析した。液体窒素温度から試料温度を上げないよう新しいクライオスタットを作製した。これまでの実験および解析では定量的に解析が行なわれていなかった。本論文ではこれを解析的に行なった結果、世界で行なわれていた解析は間違っていることがわかった。Soceitiesの国際会議において発表された。