Abstract本研究は、励起子/励起子分子及び励起子微細構造を含む複数のチャンネルを同時励起可能なGaNの特徴に着目した励起子コヒーレント制御を目的とする。本年度は、a面サファイア基板上GaN薄膜の励起子微細構造におけるコヒーレントダイナミクスを調査した。励起子微細構造における励起子コヒーレンスについては、コヒーレント制御を行う上でバルク材料を用いた系統的な実験を行い、その詳細を明らかにする必要がある。よりスピン縮退か解け、微細構造に分裂する。そのため、励起子微細構造は高い偏極度を有し、励起光の偏光に対し強い選択性を示す。その結果、各共鳴は、等方的歪試料の縮退した励起子共鳴とは異なり、異方的な位相緩和を示すことがわかった。そのスピン緩和時間によって決定されることを考慮すると、得られた結果は微細構造における異方的なスピン緩和を示唆する。理論計算によって求めた所、スピン分裂の非対称性を反映した非対称な有効磁場がc軸に垂直な波数平面に分布することがわかった。測定温度域(<120K)では、位相緩和の異方性に対して散乱よりもスピン緩和の寄与の方が大きくなることがわかった。よるスピン緩和の異方性であることが明らかになった。