して有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式(1)Sr1-xBaxMnO3(1≧x>0.4)・・・(1)で表されるマンガン酸化物である。単位格子1の対称中心には磁性イオンであるMnイオン3が存在する。単位格子1の対称中心をMnサイトとする。単位格子1が有する8個の頂点には、SrイオンおよびBaイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子1が有する頂点をSrサイト2とする。単位格子1が有する6面の面心には、Oイオン4が存在する。概要ユビキタス情報社会の実現に向け、基盤となるメモリデバイスの高性能、高密度化が求められている。動作速度が高速であること、消費電力が低いこと、および、不揮発であることを兼ね備えたメモリの開発は最重要視されている。上記の要件を兼ね備えたメモリとして、強誘電体メモリ(FeRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)および抵抗変化メモリ(ReRAM)が多くの期待を集め盛んに研究開発が進められている。この中で、強誘電体メモリは、強誘電体が備える自発分極をメモリ担体とするため、省電力かつ高速動作が可能であり大変有望視されている。従来の強誘電体メモリの材料として一般的なBaTiO3(チタン酸バリウム)およびPbZrxTi1-xO3(PZT:チタン酸ジルコニウム酸鉛)に代表される変位型強誘電体は巨大な電気分極を有する。特許文献1には、PZTが27~33μC/cm2程度のスイッチング電荷量を示すことが記載されている。本発明は、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびその利用に関する。Sr1-xBaxMnO3(1>x>0.4)・・・(1)で表されるマンガン酸化物。Sr1-xBaxMn1-yAyO3(0.5≧y>0)・・・(2)で表されるマンガン酸化物。上記yが0.05≧y>0の範囲内である請求項2に記載のマンガン酸化物。請求項1~3の何れか1項に記載のマンガン酸化物を強誘電体として備える強誘電体メモリ素子。上記マンガン酸化物の分極方向に対して垂直な面に、当該マンガン酸化物を挟むように設けられる第一電極および第二電極を備える請求項4に記載の強誘電体メモリ素子。1.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記「問合せ先」まで直接お問い合わせください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。