びに磁気デバイスを提供する。B2,A2構造の何れか一つの構造を有し、かつ0≦x≦1である。室温において、強磁性を示し大きなスピン分極率が得られる。Al薄膜3の間にはバッファー層4が挿入されてもよい。室温において、低磁界で大きなTMRとGMRが得られる。これらの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス、磁気ヘッド、磁気記録装置を提供する。/非磁性金属層の多層膜からなる巨大磁気抵抗(GMR)効果素子、及び強磁性層/絶縁体層/強磁性層からなるトンネル磁気抵抗効果素子や強磁性スピントンネル接合(MTJ)素子が、新しい磁界センサーや不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ(MRAM)素子として注目されている。強磁性層の一方に反強磁性層を近接させて強磁性層のスピンを固定させるスピンバルブ型が用いられている。磁気抵抗の値は1%以下と小さい。はまだ実用にいたっていない。トンネル磁気抵抗効果素子やMTJでは、外部磁界によって2つの強磁性層の磁化を互いに平行あるいは反平行に制御することにより,膜面垂直方向のトンネル電流の大きさが互いに異なる、いわゆるトンネル磁気抵抗(TMR)効果が室温で得られる(非特許文献1参照)。すると、一般に下記(1)式で与えられることが知られている。ここで、強磁性体のスピン分極率Pは0<P≦1の値をとる。現在、得られている室温における最大のTMRはP~0.5のCoFe合金を用いた場合の約50パーセントである。TMR素子は現在、ハードデイスク用磁気ヘッド及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ(MRAM)への応用が期待されている。MRAMでは、MTJ素子をマトリックス状に配置し、別に設けた配線に電流を流して磁界を印加することで、各MTJ素子を構成する二つの磁性層を互いに平行、反平行に制御することにより、“1”,“0”を記録させる。読み出しは、TMR効果を利用して行う。MRAMでは高密度化のために素子サイズを小さくすると、素子のバラツキに伴うノイズが増大し、TMRの値が現状では不足するという問題がある。したがって、より大きなTMRを示す素子の開発が必要である。上記(1)式からわかるように、P=1の磁性体を用いると無限に大きなTMRが期待される。P=1の磁性体はハーフメタルと呼ばれる。構造をもつフルホイスラー合金などがハーフメタルとして知られている。構造を有するフルホイスラー合金は基板を200°C程度に加熱し、さらに、その膜厚を通常25nm以上にして作製できることが報告されている(非特許文献2参照)。型のハーフメタルであることが報告された(非特許文献3参照)。その薄膜及びトンネル接合は作製されていない。型化合物と同様に、この薄膜がハーフメタル特性や大きなTMR特性を示すか否かは、実験的には全くわかっていない。びに磁気デバイスに関する。Al(ここで、0≦x≦1)磁性薄膜が基板上に形成されてなることを特徴とする、磁気デバイス。用いたことを特徴とする、請求項15に記載の磁気デバイス。用いたことを特徴とする、請求項15または16に記載の磁気デバイス。用いたことを特徴とする、請求項15~17の何れかに記載の磁気デバイス。用いたことを特徴とする、請求項15~18の何れかに記載の磁気デバイス。provided.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。