投影形の装置の場合は,小さな制限視野絞りを使ってイオン強度を下げることができる。これは分析領域における瞬間的なカウント率を低下させているものではない。小さな制限視野絞りを使わずに,全体の透過率を変えなければならない。電子増倍管のカウンティングシステムの線形性については,参考文献[1]及び[2]を参照する。8.5.3ボロン及びシリコンの二次イオン強度は,交互かつ周期的に測定しなければならない。8.5.4一つの深さ方向分布測定内におけるシリコンイオン強度の変動が,装置製造業者の作業手順書又は装置担当者が作成した作業手順書の示す許容範囲内であれば一定とみなす。サイクルで測定してもよい。決定)の手順によって,RSFwork及びδを分析対象試料測定と同じ測定条件を用いて求める。0164:2010ことが望ましい。8.6.2触針式表面粗さ測定機による深さの校正は,次による。物質を用いて,クレータ深さ測定のために触針式表面粗さ測定機を校正する。触針式表面粗さ測定機による測定の精度を,機関間テストプログラムで評価した。計を用いてクレータ深さdtを測定する。触針はクレータの上を走査しなければならないので,スパッタリングを無視してよい領域から始め,クレータの中央を通過し,もう一方のスパッタリングを無視してよい領域で止める。8.6.3光干渉計による深さの校正は,次による。8.6.3.1装置製造業者の作業手順書又は装置担当者が作成した作業手順書によって,校正した光干渉計を用いてクレータ深さdtを測定する。測定に使用する干渉じま(縞)は,クレータの中央及びクレータ両端のスパッタリングを無視してよい領域を通らなければならない。