本文へジャンプすべての機能をご利用いただくにはJavascriptを有効にしてください。一覧ネットワーク/コンピューティング分野の情報Javascriptを有効にしていただくことでネットワーク/コンピューティング分野の情報をご覧いただけます。古川一夫NEDOのプロジェクトにおいて、(株)東芝と東京大学は、コンピュータのキャッシュメモリ用に十分な高速性能を有し、従来の混載メモリ(SRAM)と比較して消費電力を10分の1以下の4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ(STT-MRAM)回路を開発しました。これはあらゆる種類のメモリと比較して世界最高の電力性能となります。ISSCC2016において、2月2日(現地時間)に発表します。実現を目指し、NEDOは「ノーマリーオフ※1コンピューティング基盤技術開発」プロジェクト※2を推進しています。これは、不揮発性メモリ※3を利用して、コンピュータの非動作時に積極的に電源をオフして省電力化を図るものです。コンピュータのキャッシュメモリに使われるSRAMのような高速メモリは揮発性メモリのためデータの保持を考えると電源オフができません。一方で、今までの不揮発性メモリでは高速化が実現できていませんでした。Junction)※4の開発を続けてきました。メモリ制御回路部(周辺回路)が消費する電力が大きいため、不揮発性メモリのみの低消費電力化を実現してもキャッシュメモリ全体としての消費電力は十分に小さくなりませんでした。)のグループは、65nm世代のシリコントランジスタに混載した4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ(STT-MRAM)※5回路において、3.3nsというキャッシュメモリとして十分に高速なアクセス時間、ならびに揮発性メモリ(SRAM)と比較して消費電力10分の1以下という低消費電力化を実現しました。これは、キャッシュメモリとして世界最高の電力性能となります。ISSCC2016※6において、2月2日(現地時間)に発表します。今回、現状の課題を解決するために、具体的にはメモリ制御回路部をノーマリーオフ動作状態に近づけるため、100ns以下で高速に電力遮断・復帰が可能な回路を開発し、メモリ動作状態に応じて動作に必要な部分以外は高速で電源遮断できるように改良しました。主な動作モードでの実測値として、キャッシュメモリアクセスの平均待機時間(約30ns)よりも短い、最速22nsで電源遮断後からの復帰を確認しています。メモリのデータを一度確認して不要な書き込みを止めることで書き込み動作の消費電力を削減する技術を採用しています。電源を遮断できる時間をできるだけ長くするために、メモリアクセスパターンをモニターして、次のアクセスパターンを高い正解率で予測するアルゴリズムも開発しました。ノーマリーオフシステム内の真に動作すべき構成要素以外の電源を積極的に遮断することで低電力化を目指すこと。電源遮断をしてもシステム全体として動作を継続するためのシステムの状態やデータを忘れない不揮発性メモリなどのデバイス技術と、また、電源遮断の機会を最大化するためのコンピューティング技術の両方が必要となる。Flash(NAND型フラッシュ半導体メモリ)などがある。これに対して、電源を切ると記憶内容が保持できなくなるものを揮発性メモリといい、SRAM、DRAMなどの半導体メモリがある。Junction)自由強磁性層/トンネルバリア層(絶縁膜)/固定強磁性層の3層から構成され、二つの磁性層の磁化方向の違いでトンネル絶縁膜におけるトンネル確率の変化により磁気抵抗値に違いが生じ、"0"と"1"とに対応付けられる。Junction)の一方の強磁性電極から一定方向の電子スピンをもつ電流だけを通過させることで生じるスピントルクにより記憶層の磁化反転作用で書込を行う。このスピン注入磁化反転方式を磁気情報書き込みに応用したランダムアクセスメモリ。IEEEが主催する最先端半導体についての国際学会。毎年2月に開催され、半導体に関する世界最大で最高峰の国際会議で、最新技術に関する発表などが行われる。