2012研究概要本研究の目的は、バンドギャップ・エネルギ1.7eVを有するInGaN薄膜のエピタキシャル成長技術の確立である。MOVPE)を用いて、InGaNを成長した。その結果、V/III比と組成との関係を実験的に明らかにした。従来用いられているGa極性面と本研究独自の手法であるN極性面を用いてInGaN結晶成長を試み、N極性面において平坦に高In組成InGaN結晶を作製可能であることを明らかにした。