【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。単結晶のダイヤモンド膜のエピタキシャル成長において、{100}結晶構造と{111}結晶構造を比較すると{100}結晶構造はモザイクやヘテロエピタキシャル成長方法とプラズマCVDの採用により大面積化、低コスト化の可能性が期待されているが、ドーピングによりP型半導体を得ることができてもN型を得るのが困難である。{111}結晶構造はP型とN型の両方が可能であるが、これまでにダイヤモンドの種結晶を用いた高温高圧合成法しかなく、装置に制限があり、大きなサイズの基板を得ることは難しい問題がある。{111}結晶構造は、非特許文献に記載されているとおり、エピタキシャル成長に伴いクラックが発生し、厚膜化できなかった。デバイス特性において重要な膜表面の平坦性を確保することができなかった。本発明はダイヤモンド基板の上にラテラル成長型のエピタキシャル成長により得るダイヤモンド基板に関する。growth.※(有)金沢大学ティ・エル・オーは、金沢大学の研究者の出願特許を産業界へ技術移転することを主目的として、金沢大学の教官の出資により設立された技術移転機関です。ご興味のある方は、下記「問合せ先」へ整理番号と共にご連絡願います。活用のお申し込み・お打合わせ等の段階に入っている場合もございますので、予めご承知おきください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。