5を介して第2のトンネル接合9を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御する。半導体素子の微細化技術が伸展しているが、その微細化には限りがある。用いた分子素子の研究が進められている。このような分子素子の材料としては、カーボンナノチューブやフラーレンが知られている。金属内包フラーレンは、炭素からなるフラーレン殻の内部に金属原子を内包した機能性分子である。フラーレン殻と内包金属原子との電荷交換により分子内に電子状態の偏りと極性、つまり、永久双極子モーメントを有しているため、金属内包フラーレンを用いたスイッチについて多くの研究者がその動作の確認を試みてきた。本発明者等は、非特許文献1において、金属内包フラーレンを用いた分子素子のスイッチング現象を世界で最初に報告した。(SAM)を形成し、この膜構造上に金属内包フラーレンとしてTb@C82を配置した素子である。走査トンネル分光(STS)測定を行った結果、Tb@C82の双極子モーメントの配向に起因したスイッチング現象が、極低温の13Kで初めて観測された。観測した電流電圧特性においては、電圧の掃引方向の違いによるヒステリシスや負性微分コンダクタンスも観測された。Semiconductors)2005において、半導体素子に代わる新規なロジックデバイスの候補として引用されている。Lithography)による直接描画法(非特許文献6)、めっき法(非特許文献7及び8)などの各種方法が提案されている。そのうち、EBLによる直接描画法と無電解めっき法とを兼用することにより、幅3.3±1.4nmや5nm以下の隙間を再現性よく、かつ90%の歩留まりでナノギャップ電極を作製することが報告されている(非特許文献9)。thiol)、3-アミノチオールフェノール(3-aminothiolphenol)が非特許文献17に、それぞれ報告されている。本発明は、機能長スケールがナノメートル(nm)単位である電子デバイス及び光デバイスに係り、より詳細にはスイッチング素子として有用な分子素子に関する。6.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。