発明の概要SiC膜を形成する部材を高温加熱することなく、結晶性及び平坦性に優れたSiC膜を製造する方法を提供することを目的するとともに、この方法を利用してSiC下地膜を形成する工程を含む、SiC多層膜構造を提供する。Siを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給し、前記部材の前記主面上にSiC膜を形成する。ドリフト速度、熱伝導率が大きく、SiやGaAsでは対処できない高温、放射線下での耐環境デバイス、あるいは高周波・パワーデバイス用半導体材料として有望である。SiCは、マイクロ波デバイス、青紫レーザなどGaNデバイス用基板としても有望である。これはSiCが導電性を有するために、基板裏面に容易に電極を形成できること、さらには高い熱伝導度により放射性に優れることなどに起因する。璧開により共振器ミラーを容易に作製できること、GaN系結晶との格子不整合が小さい(3%)ことなどの理由にもよる。【0003】従来、SiC基板は昇華法又はSi基板上へのヘテロエピタキシー法によって形成していた。昇華法による場合、マイクロパイプと呼ばれる中空貫通欠陥ができやすく、また大型のSiC基板を作製することが困難であるという問題があった。【0004】一方、へテロエピタキシー法は、安価で大面積のSiウエハ上へのSiC膜の形成が容易であることから、大面積のSiC基板を容易に形成できる。SiとSiCとは約20%の格子定数差を有するため、へテロエピタキシー法においては、前記SiC膜を形成する以前に、Si基板の情報を保持したSiC下地膜を形成する必要がある。【0005】SiC下地膜は、いわゆる炭化法によって形成される。前記Si基板を約900°C以上の高温に加熱するとともに、分子中に炭素源のみを有する炭化水素ガスを前記Si基板上に供給し、前記Si基板のSi原子と前記炭化水素ガスの炭素原子との表面化学反応によって、前記Si基板上に極薄で単結晶のSiC下地膜を形成するものである。本発明は、SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法に関し、詳しくは、耐環境デバイス、各種半導体デバイスに対して好適に用いることのできるSiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法に関する。layer.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。