発明の概要この発明は、バッファ層を設けることなく、簡易な方法でエピタキシャル成長させることが可能な、化合物半導体の製膜方法を提供する。この化合物半導体を基板上にエピタキシャル成長させる方法は、製膜中における基板温度を所定の割合で上昇させて、基板上に直接化合物半導体をエピタキシャル成長させる。製膜中の基板温度上昇度を所定の範囲に限定することにより、最初に製膜された膜が昇温過程でアニールされると同時に、再蒸発する現象と、その上への製膜過程とが同時に進行し、(0001)面に配向した初期成長核上への製膜が可能になるため、格子定数の異なる基板上にバッファ層を設けなくともエピタキシャル成長した化合物半導体を製膜できる。この方法によって、例えば、青色発振の半導体レーザとして着目を浴びている窒化ガリウムが、(0001)面サファイア基板上に、窒化アルミニウムなどのバッファ層を予め設けることなく、製膜前のサファイア基板温度を500°Cに設定し、基板温度上昇度を2°C/秒に設定して、エピタキシャル成長できる。近年の半導体エレクトロニクス分野においては、光記録等の高密度化などの目的から、青色発振の半導体レーザが開発され、着目を浴びている。N)を3~12μm製膜して、エピタキシャル成長させた化合物半導体をデバイス材料として用いることにより、製造している。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。