−O.1料を作り,各々の試料の抵抗値を測定した。Q3の結果をFig.6に“○”印で示している。試料について行なった結果,吸収電流とイオンFig。thin−fi至m照射時間の関係はSiO・膜厚,プローブ電流によって多少異なるが,すべての試料で吸収電流Warm−Carrier(ieViCe.が最高点を通過した直後で試料抵抗が急減するに順方向となっていて,ショットー接合によるというFig.6と同様の結果を得た。このことは,1−V特性とは順方向の極性が逆である。このこGaイオン照射による吸収電流が最大となった点で,ピンホールがGeまで達していることを示している。そこで,本研究では吸収電流をモニターし,それが最高点を通過した直後に集束とは,製作した素子が当初の設計どおりウォーている。零バイァス時の素子抵抗は23kΩで,タングステンウィスカーを点接触させたイオンビームの照射を止める方法で穴開けを行ウォームキャリア素子とほぼ同程度の抵抗であなった。この方法で素子を製作することにより,る。触並みの接触が薄膜でも実現できたことを示し性よくピンホールを作れるようになった。ムキャリア素子として動作していることを示し次に,Fig.7の1−V特性を示した素子でCO23.素子の特性レーザー光に対する検出特性を測定した。系をFig.8に示す。ブリュースタウィンドウに構造素子でタングステン線をp形Geに接触した直後の素子と同様に抵抗値が高く,また素子チョップされて試料に照射されている。レーザ間の抵抗値のばらつきも大きかった・しかし,ー光パワーはチョッピングブレードで反射されこれらの素子に5Vの直流電圧で1∼2回のボるCO2レーザー光をモニタして調整されている。ンディングを行なうことにより素子抵抗が小さ試料台は,レーザー光を軸として90。回転させくなり,素子間の抵抗値のばらつきも少なくなることができ,試料を固定している板をレーザった(Fig.6の抵抗は,このようにボンデインー光の偏波面に対して水平および垂直にさせるグを加えたあとの値である)。Fig.7にボンデことができる。試料を固定している板はイング後の薄膜ウォームキャリア素子の1−V特性を示す。同特性は,前述のウォームキャリことができ,レーザー光に対する入射角依存性より水平偏波されたCO2レーザー光は機械的にレーザー光入射方向に対して角度を変化させるア素子の理論10)から予想されるように,点接触(アンテナパターン)が測定できるようにして側(アンテナ側)に正の電圧が印加されたときある。theoreticalvoltage.curvesfor10.6μmCO21aserradiation.クロスコープおよびペンレコーダで測定してい1垂直な場合には検出電圧も小さく,入射角の増る。加とともに単調増加していることがわかる。図の“○”印はレーザーられたものであることを示している。図は偏波面が入射面に対して平行なときの第1ローブのピーク値で正規化されていしている。性を有しているが,入射光の偏波面が入射面と電圧の理論値を破線で示している。研究3た薄膜ウォームキャリア素子を製作した。この素子は,アンテナと半導体の接触半径がO.05μm以下であり,従来報告された薄膜素子の中では最も小さい接触半径をもった素子である。次に,試作した素子を使ってCO2レーザー光o可に対する検出実験を行ない,薄膜素子として初ごoめて10.6μmCO2レーザー光に対するアンテナ指向性の観測に成功した。このことは,Sio、>でΦもΦ1上の薄膜細線が点接触構造のタングステンウィ葛oスカーと同様CO2レーザー光に対してアンテナとして動作し得ることを示している。Power(W)の検討が必要である。谷の部分が零にはなっておらず,熱起電力等の重な御助言をいただいた理化学研究所の塩川高アンテナに依存しないと思われる成分が含まれ雄氏に感謝の意を表する。するに当り,集束イオンビーム装置について貴ているものの,第1ローブから第5ローブまで参考文献そのピークの位置が理論値と一致している。CO2レーザー光に対して進行波アンJ.Appl。T.K.テナとして動作することを示している。Schw&rz:Appl.Phys.Lett.30(1977)263.5)N。Phys,必要である。Lett.42(1983)268.CO2レーザー光の入射角をFig.10の第1ローブに固定し,CO2レーザー光の入射パワーを178.変化したときの検出電圧の変化をFig.11に示している。圧は入射パワーに比例することがわかる。