対象物に特定の刺激を与え、それに基づく物理現象または化学現象を把握することが可能なマルチプローブを提供すること目的とする。半導体基板1を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブであって、刺激供給機能を有するプローブ2aおよびそれに基づく物理現象または化学現象の検出機能を有するプローブ2bを構成要素の一部とすることを特徴とする。有するプローブ2aの近接位置に、少なくとも1以上の前記検出機能を有するプローブ2bを配することを特徴とする。有するプローブ2aから所定の距離に、複数の前記検出機能を有するプローブ2bを配することを特徴とする。様々な物理現象または化学現象を把握したいとの要請がある一方、人為的な特定の刺激に対する反応によって生体の異常を検出する方法が試験的に行われている。昨今特に微細領域での測定の要請が強まっていることから、プローブと信号処理回路が一体になっているマルチプローブタイプのセンサが提案されている。具体的には、図5に示すように、半導体基板1上に、多数の針状突起からなるプローブ2と、各プローブ2から入力された電気信号を処理する信号処理回路3とが形成されたマルチプローブがある。このセンサは、信号処理回路3のスイッチアレイとして、NMOSFETを各プローブ2ごとに備えている。各プローブ2は、NMOSFETのドレイン(高濃度拡散層)を下地として結晶成長させた突起である。ここでは、突起の形成をVLS(Vapor-Liquid-Solid)法を用いることで、従来よりもプローブの形成方法が簡単で、かつプローブの直径および隣り合うプローブの間隔がより小さいものを作製することが可能となる(例えば特許文献1参照)。本発明は、物理現象または化学現象に関する情報を得ることが可能なマルチプローブに関し、具体的には、刺激供給機能およびそれに基づく物理現象または化学現象の検出機能を有するマルチプローブに関する。前記検出機能を有するプローブには、増幅回路及び/又は信号処理回路が形成されていることを特徴とするマルチプローブ。前記刺激供給機能を有するプローブの近接位置に、少なくとも1以上の前記検出機能を有するプローブを配することを特徴とする請求項1記載のマルチプローブ。前記刺激供給機能を有するプローブから所定の距離に、複数の前記検出機能を有するプローブを配することを特徴とする請求項1または2記載のマルチプローブ。前記刺激供給機能を有するプローブと前記検出機能を有するプローブとが同一の構成からなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマルチプローブ。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。