*領域を持つほか、優れたスイッチング性能を備えており、より効率が高く、小型のシステムを実現します。IGBTよりも優れたスイッチング性能をすべての温度範囲で示します。これにより、パワー電子システムの熱設計を簡素化できます。MOSFETには、以下のような主な特徴と利点があります。°C)に対応できるので、PCBのフォーム・ファクタを小さくできると同時に(熱管理の簡素化)、システムの信頼性が向上します。スイッチング損失が大幅に減少しており、温度によるその変動も少ないので、より小型の受動部品を使用して設計の小型化が可能です。低いオン抵抗(25°Cで80mΩ[代表値])によって高いシステム効率が得られ、冷却の要件も低くなります。ORDER代理店レポートによる在庫データ:。