X線反射の分裂が観測された。磁気的ダイマーと非磁性ダイマーが超構造を形成。低磁場ではブロードなラインも低温で非磁性基底状態に落ち込む。相関が強いにも拘らず無秩序状態にあるスピン系では、局所的な乱れがスピン相関を長距離にわたって乱す可能性がある。非磁性不純物に対するスピン系の応答は、乱れがない時の基底状態の性格を反映する。各Y原子核は主として隣り合う鎖上の2つのスピンと結合する。周波数シフト(磁化)の指数関数的な減少から、スピン相関距離が求まる。バルクな系に対する相関距離の計算結果と良く一致する。一様な磁場が端付近に交替(反強磁性的)磁化を誘起する。不純物をドープしたCuGeO3における2量体化と反強磁性の共存。(2個)がSiで置き換えれたCuサイトに対応する。(信号強度の減少)される。これは磁気的原因(T2の減少)による。S1サイトは磁気的に不活性。S1サイトの近くではスピン・パイエルス転移温度以上でシングレットペアは形成されている。磁気モーメントはSiから離れたところにある。スピン・格子結合を入れた有限鎖に対する計算結果とも一致。