モジュールに関する用語および特性について説明します。以下に、仕様書中等に使用されている様々な用語について説明します。説明(条件は各製品の仕様書を参照ください。pulse内蔵ダイオードに許容される最大パルス順電流Pc1素子当りのIGBTに許容される最大電力損失Tj素子に異常を引き起こさず動作できる最大チップ温度(装置での最悪状態において、この値を超えない設計が必要)Tj(op)素子を連続的に動作させることが可能な接合部の温度TcIGBTのケース温度(通常、IGBTあるいは内蔵ダイオード直下の銅ベース下面の温度、詳しくは第6章を参照ください)Tstg電極に電気的負荷をかけずに保存、又は輸送できる温度範囲I2tViso素子破壊しない範囲で許容される過電流のジュール積分値。電極を全て短絡した状態で、電極と冷却体取付面間に許容される正弦波電圧の最大実効値Mounting所定のネジで素子と冷却体(ヒートシンク)を締付ける際の最大トルク値Terminal所定のネジで端子と外部配線を締付ける際の最大トルク値IFSM注:最大定格として記載されている値は、いかなる場合もこれを超えてはなりません。説明(条件は各製品の仕様書を参照ください。説明(条件は各製品の仕様書を参照ください。説明(条件は各製品の仕様書を参照ください。種々の特性についての説明を以下に示します。発生する損失となります。慮した上で装置設計を行なうようお願いします。定格電流値以下で使用8Vすることを推奨いたします。一般的にスイッチン負荷Lグ用途に使用されるため、ターンオン,ターンオフする時のス15Vイッチング特性を十分に理解VCCしておくことが重要です。この特性は種々なパラメータICCによって変化するため、これらも考慮に入れて装置の設計を行なう事が必要です。2-4スイッチング特性測定回路ができます。示されるチョッパ回路で測定する事が出来ます。示した概略波形にしたがって定義されます。化しますので装置の設計の際には充分に考慮をお願いします。章を参照ください)等の不具合を起こし、素子が破壊する可能性があります。小さすぎる等が原因)で使用しますと過渡的な電流変化(dIc/dt)が大きくなりますので、これにより回路のインダクタンス(Ls)によるスパイク電圧(=Ls&times;dIc/dt)が発生します。参照ください)を超えて素子が破壊する場合もあります。充分に考慮して、上記の不具合が発生しないように設計してください。