目的は、研究者が有効性を示したスパッタンリング成膜中に弱い高周波(VHF)プラズマを照射する新たな手法を適用し、ルチル型CrO2薄膜をこれまで実現不可能であった生産プロセスに適合し得る条件で合成することである。他には無い物性を有しており、磁気記録デバイスの性能を飛躍的に向上させる可能性がある。この薄膜の形成には結晶化・酸化の促進が重要であり、上記のプラズマ照射に加え、酸化力の強い酸化種を励起するプロセスの検討も行う。本研究により確立されたCrO2薄膜の合成手法の技術移転により、高性能磁気記録デバイスの形成が現実のものとなる。