D)半導体3次元のシリコン貫通ビア(TSV)を製造するためのウエハ薄化プロセスを開発するための共同の努力を発表しました。両社が統合された、高性能なプロセスを開発するために一緒に作業することは、コストを下げるリスクを軽減し、顧客の次世代チップの市場投入までの時間を加速することを目的と流れます。技術を介して、シリコン貫通は垂直にチップを積層することにより、小さなフットプリントで低消費電力デバイスより高い密度を可能にする新しい方法です。Dスタックを作成するには、各チップまたはウェーハ層は、半導体プロセスの熱的および機械的ストレスの間に構造的完全性を維持するために90%までの厚さで減少し、一時的なキャリアに結合されている必要があります。システムとディスコの精密加工装置を組み合わせて、両社は、シリコンとガラスのキャリアに貼り合わせウェーハのプロセスを間伐し、後のウェーハ薄化の開発を期待する。ストレス管理、温度プロファイル制御です。AMERICA、Incの社長は、間伐を使用して完全なプロセスをフロー検証する能力は、"言った私達のサンタクララの研究室とアプライドマテリアルズのMaydan技術センターでのウェーハは、私たちに複数のTSVの統合スキームでのウェーハの利点を活用するユニークな機会を与える。"我々は、この刺激的で破壊的な技術を進めるためにディスコで動作するように嬉しくて、"ハンスストーク、アプライドマテリアルズのシリコンシステムグループのグループバイスプレジデント兼CTO(最高技術責任者)は語った。"ディスコと他の大手機器メーカと協力して当社の戦略は、お客様のリスクを軽減し、超薄型基板上のデバイス製造の全体的なコストを下げるために堅牢なソリューションを提供できる事業を行うための革新的な方法です。