記号:Oe)は、CGS電磁単位系・ガウス単位系における磁場(磁界)の強さの単位である。その名前は、1820年に電流の磁気作用を発見したハンス・クリスティアン・エルステッドにちなむ。1エルステッドは、磁場の方向に沿って1センチメートル隔てた2点間の起磁力が1ギルバートである磁場の強さと定義されている。半径1センチメートルの1巻きの円形の閉回路に1/2πアンペアの電流が流れている時に、閉回路の中央に生じる磁場の強さと定義することもできる。SIにおける磁場の強さの単位はアンペア毎メートル(A/m)である。真空中では磁場の強さが1エルステッドのとき磁束密度は1ガウスとなるためCGS単位系ではこれらは同一のものとして扱えるが、物質中では一般的に磁場の強さと磁束密度は異なる。これは電場の強さと電束密度が異なることと同じで、実際にその場で観測される物理量である磁束密度はその場の物体に生じた磁化による影響も含むためである。{M}})}という関係が成り立つ。これは物質が存在する場合の磁束密度は、物質が存在しないときの磁束密度(=μ0H)に、磁化された物質の作る磁束密度(=μ0M)が加算されたものと見なせる。物質の磁化は必ずしも外部磁場の方向と一致しないベクトル量であるため、磁束密度と磁場の強さの方向は一般的には一致するとは言えない。{H}}}と表すことが可能であり、このときの比例係数μを透磁率と呼ぶ。このように本来は磁場の強さの単位であるエルステッドと、磁束密度の単位であるガウスは異なる意味を持つものであるが、磁性体を扱った論文中などでもしばしば両者が混同されることがある。印加した外部磁場に対してBを用いていたり(本来はH)、1/10000テスラを1エルステッドとしていたり(本来両者は異なる物理量を指す)、といった例が散見される。(日時は個人設定で未設定ならばUTC)。表示-継承ライセンスの下で利用可能です。追加の条件が適用される場合があります。詳細は利用規約を参照してください。開発者Cookieに関する声明モバイルビュ。