(1/2)東北大学らの研究グループは、磁性半導体の(Ga,Mn)Asが強磁性を示すメカニズムを解明した。新たなスピントロニクス素子の開発を加速させるものとみられている。true;});磁性半導体の(Ga,Mn)As東北大学らの研究グループは2016年6月、磁性半導体の(Ga,Mn)Asが強磁性を示すメカニズムを解明したと発表した。今回の成果は、新たなスピントロニクス素子の開発を加速させるものと期待される。エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター)、及び同理学研究科の佐藤宇史准教授らの研究グループによるものである。磁性半導体である(Ga,Mn)As(ガリウムマンガンヒ素)は、GaAs(ガリウムヒ素)のGa原子の位置に、磁性不純物であるMnを高濃度で注入することで得られる物質であり、半導体と磁性体の特質を併せ持つ。電気で磁性の制御を実現したことから、スピントロニクス素子の基盤技術構築に貢献してきた。(Ga,Mn)Asが強磁性を示すメカニズムについてはこれまで明確になっていなかった。「p-dツェナーモデル」か、「不純物モデル」か、そのメカニズムについて現在は、「p-dツェナーモデル」と「不純物モデル」と呼ばれる、異なる2つの見解が示されている。利用する光電子分光という手法を用いた。この手法で、(Ga,Mn)Asの電子状態を高い精度で決定し、電子の不足状態である「ホールキャリア」が、As結合軌道とMn不純物軌道のどちらにあるのかを調べた。(Ga,Mn)As試料の汚染を避けることで、(Ga,Mn)As本来の電子状態の観測することに成功したという。Japanスマートジャパン3Dモデラボキャリア@IT自分戦略研究所エンジニアライフディルバートアプリITmediaねとらぼねこらぼついトピ!ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。