不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なGeSn半導体デバイスを得る。【解決手段】シリコン基板1に形成した極薄酸化膜2上に分子線エピタキシャル法を用いてGe5とSn6とを蒸着することで、GeSn半導体のナノメーターサイズの微結晶(ナノドット)3を超高密度に形成して、GeSn半導体デバイスを得る。該半導体のドット3は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。概要Ge及びSnからなる半導体(以下、“GeSn半導体”とする)は、Si基板上のモノリシックな多機能デバイスの実現を可能とする材料であり、その組成比によっては直接遷移型半導体となり(例えば、非特許文献1参照)、IV族半導体光デバイスとして有望視されている。このGeSn半導体は、組成比に応じてエネルギーバンドギャップが変化するため、発光波長をある程度任意に制御できる可能性も有している。本発明は、GeSn半導体のドットを有するGeSn半導体デバイスの製造方法に関する。ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載のGeSn半導体デバイスの製造方法。ことを特徴とする請求項12に記載のGeSn半導体デバイスの製造方法。device.※ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。