【課題】高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Bイオンがドーピングされたp型のSi基板1の表面の2箇所にn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cを形成する。エミッタ領域2e及びコレクタ領域2cの形成に当たっては、二次イオン質量分析器(IMA)により加速電圧を20kV、イオン電流を10μAとして、希ガス元素のイオンであるAr+及びHe+を2時間程度、Si基板1の2箇所にイオン照射する。この結果、Si基板1の格子原子が蹴り出され、空格子が生じ、Si基板1の表面から比較的深い位置までダングリングボンドが生成される。これらのダングリングボンドが生成された領域がn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cとなる。概要トランジスタを構成するP型半導体、N型半導体は、主に夫々IV族元素にIII価イオン、V価イオンをドープすることにより生成されている。このようなトランジスタが集積回路(IC)等に使用されている。ICではインプラントイオンの数が少なく、また、シリコンウェハ上に機能素子がローカルノードとして点在するため、インプラントイオンが容易に拡散しやすい。このため、十分な耐熱性及び高集積性を得ることが困難である。本発明は、ダイオード等に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。特許に関する技術移転を受託しています。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。