noted.(1)高圧合成ダイヤモンド単結晶(住友電工)内の常磁性不純物である窒素(N)中心とNi中心の濃度分布を画像化して、結晶成長のセクター依存生を明らかにした。Ni中心については、77Kで測定できるように工夫した。顕著な分布画像を得ることができなかったが、各種不純物をドープした薄膜では、分布画像を得ることができる。(3)半導体基盤上の常磁性分布を測ることができ、工学上役立つことが明らかになった。「マイクロ波走査型ESR顕微鏡」は、工学的応用が盛んになると考えられる。本研究に問題点として、ESR基是の小型化と感度向上について検討した。