泰2016-09-13内容記述グラフェンのスピン流を制御する新しい手法として酸化物磁性体による磁気近接効果の利用が提案されている。これと関連して、最近、単層グラフェンをYIG基板上に転写して作製した素子について、異常ホール効果や磁気抵抗効果が報告され、磁気近接効果によるスピン分極の存在やスピン軌道相互作用(の増大が議論されている。本研究では、グラフェン/YIG接合におけるグラフェンの電子・スピン物性の解明を目的に、SLG/YIG接合に関するスピン偏極準安定He原子脱励起分光(SPMDS)の実験とホール効果の測定を行った。その結果、グラフェンの伝導電子に顕著なスピン偏極(非対称率の符号から、YIGの少数スピン側の偏極)が存在することおよびグラフェン内部でスピン軌道相互作用の増大が生じていることが明らかになった。Informatics。