Abstract本年度では、これまで確立した電子温度制御の手法をメタンーアルゴン直流放電プラズマに適用し、電子温度を大幅に変化させたときの特性の解明が東北大グル-プで行われた。電子温度はホロ-陰極内のピンの長さで制御される。電子温度が0.3eVと極めて低くなると、メタンの分解で生成された水素の負イオンの発生が増大し、電子密度は電子の付着によって低減するすることが分かった。炭化水素薄膜の生成に重要なメチルラジカルの測定も行われ、分解されたメタン密度のおよそ1%程度の生成が観測され、ピンの長さに依存して増加していくことが分かった。異なった電子温度をもつプラズマ中で生成された薄膜のラマン分光分析の結果、グラファイトからアモルファスカ-ボンまでの広い膜質をもつ成膜が明らかにされた。ホイスラ-波を使った高密度高周波放電プラズマ中の電子温度と炭化水素ラジカル密度の制御が名古屋大グル-プで行われた。高周波の周波数や位相速度を増加させると高エネルギ-電子成分が増大することが分かった。炭化水素ラジカル密度やアモルファスカ-ボン薄膜の堆積率は電子密度や温度とともに増加し、低気圧放電領域で毎時90ミクロンの高速成膜が達成された。マイクロ波の伝搬や減衰に関する測定が大阪大グル-プで行われた。電子サイクロトロン共鳴を使った水素プラズマ中では、共鳴領域での急激な電子温度の増加がその場所でのマイクロ波の強い吸収による減衰と一致することが分かった。反応ガスやイオンの温度測定が高分解能をもつファブリペロ-型干渉系で行われ、leV以下の低い温度をもつ中性粒子やイオンが観測された。アモルファスシリコンの光学ギャップや赤外吸収スペクトラムの測定により、共鳴領域でのプラズマの空間構造に関係した膜質の変化が起こることが明らかにされた。