STT-MRAM: Toshiba promete revolucionar com nova tecnologia de memória | Adrenaline
Por Filipe Braga 10/12/2012 16:30 Comentários Reportar erro
A Toshiba Corporation anunciou hoje o desenvolvimento de um protótipo de elemento de memória para as STT-MRAM – memória de acesso randômico magneto-resistiva de rÁpida transferência de torque que promete revolucionar a indústria do silício, ao prometer o menor consumo de energia do mercado, tendo ainda o potencial de aposentar as eficientes SRAM como memória de cache.
Até então largamente utilizadas nos dispositivos, as SRAMs parecem estar chegando ao seu limite. A medida em que as freqüências de operações de tais memórias são elevadas, reduz-se a eficiência energética destas, através do aumento no vazamento de corrente. Este problema ocorre tanto em modo de operação, quanto em standby, degradando o poder de desempenho.