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Samsung revela memória flash insana de 256 GB
A Samsung anunciou nesta quinta-feira (25) o início da produção em massa de um novo componente de memória de 256 GB baseado no padrão Universal Flash Storage 2.0 (UFS 2.0), que devem aparecer nos dispositivos móveis em um futuro próximo.
O componente é direcionado para smartphones top de linha ao garantir velocidade "ultrarrápida", alta capacidade de dados e um tamanho compacto. Ele é capaz de processar 45 mil e 40 mil operações de input/output por segundo via leitura e escrita aleatória, cerca de duas vezes mais que a geração anterior de memórias UFS.
Os números impressionantes não param por aí. Em leitura sequencial, a velocidade atingida é 850 MB/s, quase o dobro de um SSD estilo SATA usado em PCs. Em gravação sequencia, ele suporta até 260 MB/s, aproximadamente o triplo dos cartões microSD externos hoje tão difundidos. Falando em microSD, o novo chip é ainda menor que esses cartões.
Vale lembrar que, em fevereiro de 2015, a Samsung havia anunciado o desenvolvimento de um componente UFS de 128 GB — ou seja, a capacidade dobrou em um ano.
Galaxy Note 6? Ou 7?
A Samsung alega que a tecnologia é ideal para reproduzir vídeos em 4K (Ultra HD) e realizar multitarefas em dispositivos móveis com tela grande, incluindo a possibilidade de display dividido — enquanto você busca imagens e faz um download, por exemplo. Se usado só em um dispositivo de armazenamento, o chip é capaz de guardar 47 arquivos de filmes em Full HD.
Por enquanto, não há qualquer indicação da adoção da tecnologia em produtos da marca. Porém, a empresa avisa que vai aumentar a produção em massa para atingir uma demanda global. Será que o Galaxy Note 6, possivelmente anunciado no segundo semestre deste ano, pode ser o momento de estreia da tecnologia? Ou será que a marca sul-coreana deixaria para o ano que vem?