Carbeto de Silício como Material Base para Sensore... - BV FAPESP
Obtenção e caracterização do compósito carbeto de silício reforçado com fibras oca...
Carbeto de Silício como Material Base para Sensores MEMS de Uso Aeroespacial: Uma Visão Geral
M.A. Fraga ; R. S. Pessoa ; M. Massi ; H. S. Maciel
Fonte: MATERIA-RIO DE JANEIRO; v. 19, n. 3, p. 274-290, Set. 2014.
Este artigo discute o emprego do carbeto de silício (SiC), na forma de substrato e filme fino, em sensores MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) para aplicações em ambientes sujeitos a condições extremas, especialmente no setor aeroespacial. As propriedades físicas e químicas do SiC que o tornam um material adequado para dispositivos eletrônicos e sensores são descritas. Os conceitos, evolução e aplicações da tecnologia MEMS são apresentados. Uma visão geral sobre o estágio atual de desenvolvimento de sensores MEMS baseados em SiC e uma análise das pesquisas realizadas nesta área no exterior e no Brasil, tanto nas universidades quanto nas indústrias, são também apresentadas. Os recentes avanços alcançados, as dificuldades encontradas e o impacto dessas pesquisas são discutidos, bem como as perspectivas para um futuro próximo. (AU)