Intel apresenta a primeira tecnologia 3D NAND para o segmento de memória | Rockarama
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Intel apresenta a primeira tecnologia 3D NAND para o segmento de memória
Escrito por Rob Crooke, vice-presidente sênior e gerente geral do Grupo de Soluções de Memória da Intel Corporation, este artigo nos conta sobre o avanço da Intel rumo à liderança no segmento de memória para tornar os dados e a computação mais unidos para uma melhor experiência
A Intel apresenta o mais novo o SSD 64-layer, TLC, 3D NAND do mundo. Enquanto alguns falam sobre isso, nós fizemos. Estamos anunciando o Intel® SSD 545s para o segmento de computação. Este é um drive confiável e de alta qualidade para o mercado tradicional que oferece ótimo desempenho para PCs mais antigos ou agrega valor para PCs novos. Este produto com liderança tecnológica pode ser comprado no Newegg a partir de hoje.
Na Intel, o nosso compromisso é fomentar soluções de plataformas conectadas que ofereçam a melhor experiência onde quer que a computação e os dados se encontrem. Continuamos investindo tanto na tecnologia Intel® 3D NAND, quanto na tecnologia Intel® Optane™ para fazer isso acontecer.
A Intel já delineou em diversas ocasiões como a atual explosão de dados apresenta uma oportunidade para a indústria obter mais valor a partir deles. O desafio do passado era o custo e o desempenho do armazenamento. Foi quando a TLC e a 3D NAND entraram em cena. Com base nos nossos 30 anos de experiência em memória, otimizamos a arquitetura floating gate e o processo de manufatura 3D NAND.
Intel 3D NAND é um drive confiável e de alta qualidade para o mercado tradicional, com ótimo desempenho para PCs mais antigos | Foto: divulgação - Intel
Vamos falar primeiro sobre a arquitetura
A tecnologia Intel® 3D NAND é uma arquitetura floating gate que nos dá a melhor densidade superficial do mundo atualmente e fornece escalabilidade para o futuro. Isto se baseia em ter um menor tamanho de célula e ao colocar o controle lógico sob a matriz da memória. Ter a melhor densidade superficial do mundo significa que podemos ampliar para uma grande capacidade e fornecer gigabytes por wafer. A nossa experiência projetando esta arquitetura para soluções SSD nos habilita a melhorar rapidamente a cada geração.
Além disso, a tecnologia floating gate é fabricada com um comprovado processo de manufatura de larga escala – nos habilitando a acelerar as transições de produtos 2D para 3D, de MLC para TLC e agora de 32-layer para 64-layer.
Esta próxima geração de liderança de processo nos possibilitará uma migração e um ciclo de validação perfeitos e fáceis para nossos atuais clientes de data center, dos atuais produtos de 32-layer para extensões de produto de 64-layer. Ela também possibilita um portfólio expandido de produtos que suportem novos negócios client e produtos embarcados. Nós temos uma sinergia geracional muito forte em nossas fábricas e esperamos um rápido início de produção com base na 3D NAND, TLC de 64-layer até meados de 2018.
Transformar a promessa do futuro em realidade significa tornar os dados e a computação mais unidos para uma melhor experiência.
Rob Crooke é vice-presidente sênior e gerente geral do Grupo de Soluções de Memória da Intel Corporation