Bolsa 13/24472-9 - Nanoeletrônica - BV FAPESP
Efeitos da radiação em transistores Túnel-FETs de porta tripla
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de camp...
Impacto dos materiais III-V em transistores de tunelamento induzido por efeito de ...
Estudo de Transistores de Tunelamento Induzido por Efeito de Campo (Túnel-FET ou TFET) Construídos em Nanofio de Silício
Processo: 13/24472-9
Beneficiário: Victor de Bodt Sivieri
Assunto(s): Nanoeletrônica
Com o avanço da tecnologia de fabricação de circuitos integrados, as dimensões dos transistores foram reduzidos para escalas nanométricas, onde problemas como o efeito de canal curto e a alta potência dissipada no dispositivo se tornam críticos.Com o intuito de minimizar o problema do efeito de canal curto surgiu a alternativa estrutural de substituir o tradicional transistor MOSFET de porta única para um transistor de múltiplas portas, tais como porta dupla (FinFET), porta tripla (Transistor 3D) e porta circundante (gate all around). Neste último caso o desempenho é significativamente melhor se o corpo do transistor tiver secção transversal circular e de pequeno diâmetro, também chamado de nanofio (nanowire).No entanto, para minimizar a potência dissipada é necessário o advento de uma tecnologia que tenha o seu comportamento o mais próximo possível de uma chave ideal, ou seja, com a inclinação de sublimiar inferior a 60mV/dec em temperatura ambiente. É neste contexto que surgem os transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET), que além de serem compatíveis com a tecnologia CMOS, têm seu princípio de funcionamento muito diferente. Nestes dispositivos a corrente elétrica é composta por portadores que tunelam da banda de valência da fonte para a banda de condução do canal em vez do mecanismo tradicional de difusão/deriva da fonte para dreno normalmente encontrados nos transistores MOS, o que permite que o TFET se comporte como uma chave mais próxima da ideal.Esse trabalho de mestrado visa estudar de forma inédita no Brasil um transistor Tunnel-FET (TFET) fabricado em estrutura de nanofio de silício. Este estudo será feito de forma teórica (simulação numérica) e experimental. Serão estudadas características digitais e analógicas do dispositivo e seu potencial para uso em circuitos integrados avançados para a próxima década.