ReP USP - Detalhe do registro: Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs
Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs (2003)
Bufon, Carlos César Bof
Ribeiro, Gilberto Medeiros (Orientador)
Autores USP: BUFON, CARLOS CÉSAR BOF' - IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES
Resumo: O crescimento de pontos quânticos a partir do descasamento dos parâmetros de rede tem sido alvo de intensos estudos nos últimos dez anos. Conhecer as propriedades eletrônicas destes materiais é chave para a engenharia de sistemas quânticos. O objetivo deste trabalho é estudar as propriedades eletrônicas de pontos quânticos (QD) de In'As IND.1-X''P IND.X' enterrados em GaAs, através de Espectroscopia de Capacitância (C-V). A Espectroscopia C-V é uma técnica que permite determinar os estados eletrônicos e a distribuição de cargas do sistema. As amostras de In'As IND.1-x''P IND.x' foram crescidas por MOC VD (Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition) sobre um substrato de GaAs:Cr (001). A estrutura das amostras é do tipo MIS (Metal-Isolante-Semicondutor) com um contato traseiro do tipo n. As medidas de capacitância foram feitas a 4,2 K para diferentes valores de freqüência e campo magnético. A partir da dispersão dos estados confinados com o campo magnético aplicado perpendicular ao plano dos pontos quânticos, pode-se determinar,'ômega IND.0', a freqüência natural do sistema. A partir de 'ômega IND.0', determinou-se 'iota IND.0', o comprimento característico da função de onda. A concordância entre os valores de 'iota IND.0' com as dimensões laterais dos pontos quânticos obtidos por microscopia eletrônica de transmissão (TEM) é boa. Finalmente, através das medidas de espectroscopia C V pode-se separar os efeitos de confinamento lateral e vertical, permitindoum melhor entendimento dos espectros de fotoluminescência (PL), assim como os detalhes da forma dos QD obtidos por TEM
BUFON, Carlos César Bof; RIBEIRO, Gilberto Medeiros. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs. 2003.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2003. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/ >.
Bufon, C. C. B., & Ribeiro, G. M. (2003). Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/
Bufon CCB, Ribeiro GM. Propriedades eletrônicas de pontos quânticos de In'As IND.1-x''p IND.x' sobre GaAs [Internet]. 2003 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-09032009-152432/