Auxílio à pesquisa 98/14560-6 - Epitaxia por feixe molecular, Óptica eletrônica - BV FAPESP
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Plataforma de integração óptoeletrônica embasada em crescimento epitaxial seletivo e não seletivo por epitaxia de feixes químicos (CBE)
Processo: 98/14560-6
Vigência: 01 de julho de 1999 - 31 de março de 2004
Bolsa(s) vinculada(s): 00/00318-0 - Desenvolvimento de dispositivos optoeletronicos para circuitos integrados monoliticos., BP.PD
Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Óptica eletrônica Semicondutores Ligas metálicas Arsenieto de gálio
Estamos propondo o desenvolvimento de uma plataforma de tecnologias decrescimento epitaxial por epitaxia de feixe químico para a integração de dispositivos optoeletrônicos. Esta plataforma englobará o crescimento epitaxial tradicional de heteroestruturas, bem como técnicas de crescimento seletivo e de crescimento em substratos pré-gravados. Os materiais semicondutores nos quais este estudo se baseará são as ligas de InGap e InGaAs crescidas sobre substrato de GaAs. Associados às distintas técnicas de crescimento, desenvolveremos dispositivos semicondutores que servirão como avaliação do crescimento em cada técnica e de seu potencial como parte de uma estratégia de integração optoeletrônica. Os dispositivos optoeletrônicos estudados serão: fotodetetores, transistores bipolares de heterojunção, transistores de efeito de campo e laseres semicondutores. (AU)