10.3.1.5 - O DIODO GUNN
O diodo tipo Gunn.
No início da década de 1960, J.B.Gunn, dos laboratórios da companhia IBM, descobre que em certos semicondutores como o Arsenieto de Gálio, os elétrons podem existir tanto num estado de baixa velocidade/massa elevada como no seu estado natural, de alta velocidade/baixa massa, de forma que podem ser forçados a um estado de massa elevada pela ação de um campo elétrico constante fazendo com que a corrente flua como uma série de pulsos.
Conhecido como efeito GUNN, é o principio operacional de um diodo fabricado de uma camada epitaxial de Arsenieto de Gálio-N crescida em um substrato do mesmo material. Agora, se uma pequena tensão for aplicada aos terminais ôhmicos da camada-N, e do substrato, produz o campo elétrico responsável pela formação dos pacotes de pulsos.
A freqüência dos pulsos de correntes assim gerados depende não somente do tempo de deslocamento através da camada-N como, também, da sua espessura.
Desta maneira, se o diodo assim conformado for montado em uma cavidade ressonante sintonizada, a excitação por choque gera oscilações de radio freqüência com potencia de até 1 W em amplitudes de 10 a 30 GHz.
O diodo GUNN é usado na fabricação de transmissores de baixa e média potencia, sistemas de sensoriamento de proximidade, e em topologias de circuito como oscilador local e de bloqueio.