Programa da disciplina 1 - ppt carregar
PublicouJoana Feliz Alterado mais de 8 anos atrás
Apresentação em tema: "Programa da disciplina 1"— Transcrição da apresentação:
1 Programa da disciplina 1
1.Microtecnologias no silício A microelectrónica e a micromaquinagem no silício como tecnologias emergentes, a importância dos materiais semicondutores com destaque para o silício. 2.Física dos semicondutores A teoria das bandas nos semicondutores, semicondutores do grupo IV, semicondutores do grupo III-V, electrões e lacunas, impurezas dadoras e receptoras, semicondutores íntrinsecos e extrínsecos, dopagem de semicondutores, condutividade e mobilidade eléctrica nos semicondutores, energia de Fermi, electrões quentes, efeito de Gunn, efeito de Hall e semicondutores de gap directo e indirecto. 3.O silício e as suas propriedades físicas A importância do silício na indústria dos semicondutores, a sua estrutura cristalina, as suas propriedades ópticas, mecânicas e térmicas. A dopagem do silício para obtenção de regiões do tipo p e do tipo n 4.Os materiais utilizados nas microtecnologias no silício Os materiais usados nos processos tecnológicos da microelectrónica e micromaquinagem. Compostos como: o dióxido de silício, nitrato de silício, metais como o alumínio e o uso do polisilício são apresentados bem como o polímero foto-sensível (photoresist) para uso na aplicação das máscaras de fabrico. O uso de wafers de silício previamente dopados e a sua orientação cristalina.
2 Programa da disciplina 2
5. A microelectrónica A tecnologia Bipolar e o modelo de layout físico da junção pn e do transistor bipolar. A tecnologia CMOS para um processo de fabrico em CMOS de 2 mm, n-well, 2 camadas de metal e uma camada de polisilício. As regras de desenho de layout físico. As características da tecnologia CMOS. As vantagens e desvantagens da tecnologia CMOS em relação à tecnologia Bipolar. A tecnologia BiCMOS. 6. A micromaquinagem A tecnologia da micromaquinagem no silício para criar estruturas a 3 dimensões (micro-sensores e microactuadores). Os processos de fabrico: micromaquinagem volúmica (bulk-micromachining), micromaquinagem superficial (surface-micromachining) e o processo LIGA. Micro-sensores biomédicos são apresentados como exemplos. ELEMENTOS DE ESTUDO; BIBLIOGRAFIA 1-J. Singh, Semiconductor devices an introduction, McGraw-Hill Book Company, 1994. 2- S. Sze, Semiconductor Sensors, J. Wiley & Sons, 1994. 3-J.P.Uyemura, Physical Design of CMOS Integrated Circuits using L-EDIT, PWS Publishing Company, 1996. 2-Apontamentos e cópia das transparências da aulas teóricas. 3-Apontamentos e folhas de exercícios das aulas teórico-práticas e Manual de tecnologia CMOS
3 Microtecnologias no Silício
tecnologias para produção de estruturas 3D e dispositivos com dimensões na ordem dos micrómetros duas microtecnologias no silício de sucesso microelectrónica e micromaquinagem Microelectrónica, fabrica circuitos electrónicos em chips de silício, actualmente é uma indústria consolidada destacando-se as tecnologias CMOS, Bipolar, BiCMOS. Micromaquinagem compreende as técnicas usadas para fabricar estruturas com partes que se movem em microdispositivos, permitindo criar micro-sensores e microactuadores.
4 Microelectrónica+Micromaquinagem
Objectivos integrar microelectrónica com estruturas 3D micromaquinadas (sejam sensores e/ou actuadores) vantagens destes chips em silício baixo custo fiabilidade dimensões físicas reduzidas A maior desvantagem é a complexidade do micro-sistema em termos de fabrico para certas aplicações
5 Multi-Chip-Module (MCM) sistema para análise de gases e micro-sistema óptico integrado baseado em 16 etalons Fabry-Perot, conversor luz-frequência e bus interface para o exterior
6 Semicondutores Semicondutores do grupo IV (Si, Ge, C)
Ligação covalente – 2 electrões ( ) partilhados por 2 átomos Si (1s2 2s2 2p6 3s1 3p3) Cada átomo de Si (ligado a 4 átomos de Si) contribui com um electrão para a ligação dupla Semicondutores do grupo III-V (GaP, GaAs) Contém um elemento do grupo III e outro do grupo V
7 Semicondutores As propriedades eléctricas dos semicondutores podem ser alteradas pela presença de impurezas Semicondutores extrínsecos - as impurezas fornecem a maior parte dos transportadores - n diferente de p Semicondutores intrínsecos – ni=pi
8 Energia de Fermi semicondutores intrínsecos
Aumentando a temperatura, um número cada vez maior de electrões é excitado da Banda de Valência (BV) para a Banda de Condução (BC). n cresce exponencialmente com T. Energia de Fermi Para KBT<<Eg, EFi=0.5 Eg
9 Impurezas Impurezas dadoras O dador é uma impureza localizada
num nível de energia próximo da BC do semicondutor. Se houver impurezas dadoras (Nd) e aceitadoras (Na) a região intrínseca define-se como aquela em em que: ni >> (Nd-Na)
10 Impurezas Impurezas aceitadoras Um electrão é excitado da BV do Si
para o nível da impureza; deixando uma lacuna no topo da BV. A concentração de impurezas 1015 cm-3 é suficiente para alterar significativamente a concentração intrínseca, ni à temperatura ambiente. Se a contribuição das impurezas prevalece, diz-se que o semicondutor está na região extrínseca.
11 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos
Como n cresce exponencialmente com T podemos afirmar que "a altas temperaturas todos os semicondutores são intrínsecos" Dopagem de semicondutores Fósforo – grupo V, dopagem do tipo n Boro – grupo III, dopagem do tipo p Se Nd>>Na, prevalecem as impurezas dadoras e n=Nd ou:
12 Semicondutores extrínsecos
Variando o tipo de dopagem, com T constante de modo a que aumente a concentração de electrões (n) tem de diminuir a de lacunas (p) e vice-versa. Se Na >> Nd a dopagem predominante é de aceitadores e p=Na ou
13 Condutividade e Mobilidade
Condutividade eléctrica num semicondutor te diminui em geral à medida que aumenta T (pois aumenta com o número de colisões) Mobilidade num semicondutor é a razão entre a velocidade dos electrões, ve, e a intensidade do campo eléctrico aplicado E. É a medida da facilidade com que o electrão se move na presença de um E.
14 Electrões Quentes E (V/m) v (cm/s) 107 106 102 103 104 diminuição do
Comportamento de um semicondutor na presença de um campo eléctrico: E<103: o comportamento segue a Lei de Ohm J=sE. E>103: observam-se desvios em relação à lei de Ohm E>104: a corrente atinge um valor de saturação e para valores mais elevados atinge o breakdown eléctrico. As equações clássicas são válidas apenas se as amplitudes dos campos aplicados E e B satisfazem certas condições. E (V/m) v (cm/s) 107 106 102 103 104 diminuição do declive da curva
15 Electrões quentes e efeito de Gunn
Na presença de um campo eléctrico forte, E, cada electrão recebe energia ao ser acelerado pelo campo, entre 2 colisões, e cede energia à rede (sob a forma de calor). Admite-se que a temperatura dos electrões é maior que a da rede (daí o termo "electrões quentes"). Os electrões quentes podem estar a uma temperatura superior à da rede em 100 ºK ou mais se E for maior. Na presença de E muito elevados, os electrões dissipam a energia recebida do campo, sob a forma de fonões ópticos cedidos à rede. Em situações normais cedem fonões acústicos de menor energia. Efeito de Gunn Descoberto em 1963 ao medir as correntes devida a electrões quentes no AsGa Valores típicos para o AsGa, Eo=3KV/cm e uma espessura da amostra de 2.5 mm.
16 Efeito Gunn J Eo E E< Eo: variação linear (Lei de Ohm).
E> Eo : flutuações de J, oscilações coerentes no tempo. (frequência das oscilações) ~5GHz J diminui quando E cresce Este fenómeno é usado para gerar microondas. E J Condutividade diferencial negativa Eo
17 Efeito de Hall nos semicondutores
Ex-campo aplicado que origina a corrente Jx Bz-campo magnético aplicado Vx VH Bz EH z y x t
18 Efeito de Hall nos semicondutores
Temos 2 campos eléctricos Ex e EH Constante de Hall, RH Considerando:
19 Efeito de Hall nos semicondutores
Se n=0 (semicondutor do tipo p) RH=1/pe (>0) Se p=0 (semicondutor do tipo n) RH=-1/ne (<0) Os valores de RH dependem da concentração (n e p) e das mobilidades dos transportadores. Os valores de RH são medidos experimentalmente para: 1-obter informação sobre as concentrações n e p quando há só um tipo de transportadores. 2-obter informação sobre a mobilidade me ou mh
20 Semicondutores de gap directo e indirecto
A transição de electrões da BV para a BC dá-se por absorção de um ou mais fotões. A frequência, n, do fotão tem de ser n>DE/h, o processo decorre com conservação da energia e da quantidade de movimento.
21 Semicondutores de gap directo e indirecto
Semicondutor de gap directo As transições são verticais (sem variação de k) entre a BV e a BC (ex: GaAs) Semicondutor de gap indirecto O fundo da BC não se encontra directamente por baixo do topo da BV. A transição ocorre em 2 fases: o electrão absorve um fotão e um fonão; o fotão fornece a energia necessária e o fonão a quantidade de movimento para a mudança de direcção (ex: Si).