mercado RAM ferroelétrica cenário competitivo fornece detalhes e informações de dados pelos fabricantes. O relatório oferece uma análise abrangente e estatísticas precisas sobre a capacidade de produção, preço, faturamento de RAM ferroelétrica pelo jogador para o período 2015-2020. Ele também oferece uma análise detalhada apoiada por estatísticas confiáveis ??sobre a produção, a receita (nível global e regional) por jogadores para o período 2015-2020. Detalhes estão incluídos descrição da empresa, negócio principal, a receita total da empresa, ea capacidade de produção, preço, a receita gerada em RAM ferroelétrica negócio, a data para entrar no mercado RAM ferroelétrica, introdução de produto RAM ferroelétrica, desenvolvimentos recentes, etc.
A pesquisa abrange o tamanho atual do mercado RAM ferroelétrica do mercado e suas taxas de crescimento com base em registros de 5 anos com esboço empresa de jogadores-chave / fabricantes:
RAM ferroelétrica (FeRAM, FRAM ou FRAM) é uma memória de acesso aleatório semelhante em construção para DRAM, mas utilizando uma camada ferroelétrico em vez de uma camada dielétrica para alcançar não-volatilidade. FeRAM é um de um número crescente de tecnologias de memória de acesso aleatório não-voláteis alternativos que podem oferecer essa mesma funcionalidade que a memória flash. FeRAM consiste em uma grade de pequenos capacitores e seus fios e transistores signling. Cada elemento de armazenamento, uma célula, consiste de um condensador e um transistor. Ao contrário da DRAM usar um dieléctrico linear no seu condensador de célula, estrutura dieléctrica no condensador de célula FeRAM geralmente contém material ferroeltrico, titanato zirconato tipicamente de chumbo (PZT). Um material ferroeléctrico tem uma relação não linear entre o campo eléctrico aplicado e a carga armazenada aparente. A característica ferroeléctrica tem a forma de um ciclo de histerese, que é muito semelhante em forma ao ciclo de histerese de materiais ferromagnéticos. A constante dieléctrica de um ferroeléctrica é tipicamente muito maior do que a de um dieléctrico linear, devido aos efeitos de dipolos eléctricos semi-permanentes formados na estrutura cristalina do material ferroeltrico. Quando um campo eléctrico externo é aplicado através de um dieléctrico, os dipolos tendem a alinhar-se com a direcção do campo, produzido por pequenos desvios nas posições dos átomos e as mudanças na distribuição de carga electrónica na estrutura de cristal. Após a carga é removida, os dipolos mantêm o seu estado de polarização. 0s binários e 1s são armazenados como uma de duas possíveis polarizações eléctricas em cada célula de armazenamento de dados. Por exemplo, na figura 1 é um codificado utilizando o remanescente negativo polarização-Pr, e um 0 é codificado utilizando a polarização remanescente positivo termos + Pr.In de operação, FeRAM é semelhante ao DRAM. A escrita é realizado através da aplicação de um campo ao longo da camada ferroeltrica por carregar as placas de cada lado da mesma, obrigando os átomos dentro para a cima ou para baixo orientação (dependendo da polaridade da carga), armazenando, assim, um 1 ou 0. Reading, no entanto, é um pouco diferente do que nos DRAM. As forças de transistor a célula em um determinado estado, dizem 0. Se a célula já realizou um 0, nada vai acontecer nas linhas de saída. Se a célula realizado um 1, a re-orientação dos átomos no filme irá causar um breve impulso de corrente na saída como eles empurram electrões para fora do metal no lado para baixo. A presença deste pulso significa a célula realizou uma 1. Uma vez que este processo substitui a célula, lendo FeRAM é um processo destrutivo, e requer a célula a ser re-escrito, se ele foi alterado., Ferroelétricos RAM foi proposto pelo MIT estudante de graduação Dudley Allen Buck em sua tese de mestrado, Ferroelétricos de Armazenamento de Informação digital e Switching, publicada em 1952. Desenvolvimento de FeRAM começou no final de 1980. O trabalho foi feito em 1991, Jet Propulsion Laboratory da NASA em melhorar os métodos de lidos, incluindo um novo método de leitura não destrutiva utilizando impulsos de radiação UV. Grande parte da tecnologia atual FeRAM foi desenvolvido por Ramtron, uma empresa de semicondutores. Uma grande licenciado é Fujitsu, que opera o que é provavelmente a maior linha de produção de fundição de semicondutores com capacidade de FeRAM. Desde 1999 têm vindo a utilizar para esta linha FeRAMs independentes de produzir, bem como batatas fritas especializada (por exemplo, chips para cartões inteligentes) com FeRAMs incorporados. Fujitsu produziu dispositivos para Ramtron até 2010. Desde 2010 fabricantes de Ramtron ter sido TI (Texas Instruments) e IBM. Desde pelo menos 2001 Texas Instruments tem colaborado com Ramtron para desenvolver chips de teste Feram em um 130 processo nm modificado. No outono de 2005, Ramtron relataram que eles estavam avaliando amostras protótipo de um 8-megabit FeRAM fabricados usando o processo FeRAM Texas Instruments. Fujitsu e Seiko Epson-se em 2005 a colaborar no desenvolvimento de um processo FeRAM 180 nm. Em 2012 Ramtron foi adquirida por Cypress Semiconductor. projetos de pesquisa Feram também foram relatados na Samsung, Matsushita, Oki, Toshiba, Infineon, Hynix, Symetrix, Universidade de Cambridge, Universidade de Toronto, ea Interuniversity Microelectronics Center (IMEC, Bélgica). Âmbito do Relatório ferroelétricos RAM Mercado:, O mercado global ferroelétricos RAM está avaliado em 256,7 milhões de dólares em 2020 deverá atingir 316,5 milhões de dólares até o final de 2026, crescendo a uma CAGR de 3,0% durante 2021-2026, este relatório. centra-se na RAM ferroelétricos no mercado global, especialmente na América do Norte, Europa e Ásia-Pacífico, América do Sul, Oriente Médio e África. Este relatório categoriza o mercado com base em fabricantes, regiões, tipo e aplicação.
Relatar estudos posteriores o estado de desenvolvimento de mercado e tendência futura RAM ferroelétrica mercado em todo o mundo. Além disso, ele divide RAM ferroelétrica segmentação do mercado por tipo e por aplicações para plena e profundamente pesquisar e revelar perfil do mercado e perspectivas.
Geograficamente, este relatório é segmentado em várias regiões-chave, com vendas, receita, participação de mercado e taxa de crescimento de RAM ferroelétrica nessas regiões, 2014-2024, cobrindo