Bolsa 18/20097-2 - Nanotecnologia, Nanoeletrônica - BV FAPESP
Desenvolvimento de nariz eletrônico baseado em transistores orgânicos de filmes fi...
Avaliação da degradação de OTFTs em função da polarização elétrica contínua (D.C.)...
Avaliação da influência de alterações nos parâmetros físicos de OTFTs e de process...
Desenvolvimento de sensores químicos não-específicos baseados em filmes polimérico...
Influência da purificação e ciclos de filtração de polímeros semicondutores e fule...
Caracterização elétrica e modelagem de curvas características de corrente por tensão de sensores de OTFTs não-específicos para altas concentrações de MIB e GEO
Processo: 18/20097-2
Pesquisador responsável: Fernando Josepetti Fonseca
Beneficiário: Luca Pantaleoni Di Natale
Vinculado ao auxílio: 13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
Assunto(s): Nanotecnologia Nanoeletrônica Sensores Eletrônica orgânica Transistores
Transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs) são dispositivos compostos por três eletrodos, sendo que a corrente IDS circula somente por dreno (D, do inglês drain) e fonte (S, do inglês source) enquanto que o eletrodo de porta (G, do inglês gate) é responsável por modular esta corrente por tensão. As duas principais tensões de polarização são aplicadas ao dreno e à porta (VDS e VGS, respectivamente) em relação ao eletrodo de referência, a fonte, responsáveis por gerar as curvas características de IDSx VDS para um conjunto de valores de VGS e transcaracterísticas de IDSx VGS para um conjunto de valores de VDS. Portanto, a caracterização elétrica de OTFTs envolve a limitação dos extremos do intervalo e da máxima corrente de operação (compliance). Além disso, devem ser definidos o passo de variação de cada uma das tensões do transistor, isto é, VGS e VDS. No entanto, o transporte de carga nestes dispositivos deve considerar que os portadores de carga devem realizar saltos em sítios distantes de acordo com uma determinada distribuição estatística e transitar por níveis de energia discretos [3]. Neste contexto, propõe-se a definição de parâmetros de caracterização elétrica visando a modelagem das curvas transcaracterísticas do OTFT para extração de seus parâmetros elétricos. A partir do conhecimento adquirido neste projeto e de medidas obtidas em presença ou na ausência de MIB e GEO, poderá ser compreendido o efeito destes contaminantes no funcionamento do transistor.