Bolsa 15/24817-1 - Radiação (energia radiante), Nanoeletrônica - BV FAPESP
Processo: 15/24817-1
Beneficiário: Henrique Lanza Faria Torres
Assunto(s): Radiação (energia radiante) Nanoeletrônica
Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm, mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Dentre as alternativas mais promissoras estudadas pela comunidade científica para substituir a tecnologia MOS, pode-se citar o transistor de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET - Tunneling Field Effect Transistor), que é um dispositivo compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível uma redução significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec à temperatura ambiente), características que conferem a este novo dispositivo um grande potencial de velocidade de chaveamento.Esse trabalho visa estudar o comportamento dos transistores Túnel-FET quando submetidos à radiação através de uma análise comparativa entre o desempenho destes transistores antes e após a radiação. Este estudo se dará tanto através de medidas experimentais e com o auxílio de simuladores numéricos de dispositivos (Atlas e/ou Sentaurus) para diferentes temperaturas de operação. (AU)
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla.. 2018. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.