Bolsa 13/02514-1 - Semicondutores, Fosfeto de índio - BV FAPESP
Caracterização elétrica de nanoestruturas semicondutoras
Análise de sistemas semicondutores tensionados: crescimento e transporte em quantu...
Propriedades fotoeletroquímicas da poli(anilina)
Processo: 13/02514-1
Beneficiário: Sara Camelucci Carrocine Tognon
Assunto(s): Semicondutores Fosfeto de índio
A presente proposta tem como objetivo a produção e caracterização de nanofios semicondutores monocristalinos de InP. As amostras de interesse, com potencial aplicação em dispositivos opto-nanoeletrônicos, deverão ser obtidas através da condensação de vapores dos materiais precursores em temperaturas controladas através do mecanismo vapor-liquido-sólido catalisado por núcleos metálicos. Uma vez produzidos, serão submetidos a diferentes técnicas de caracterização estrutural (microscopia de transmissão e varredura e difração de raios-x) num processo de "feedback" com o intuito do aprimoramento do processo experimental de obtenção das amostras bem como no entendimento do mecanismo de crescimento. Dessa forma, as atividades propostas visam o aprendizado de técnicas básicas para a preparação dos nanofios e a partir deste ponto, o aprimoramento do processo para sintonizar o sistema para a reprodutibilidade na obtenção de estruturas de melhor qualidade. Se possível, levando-se em conta o sucesso na obtenção dos nanofios de InP, dispositivos eletrônicos neles baseados podem ser estudados.