Bolsa 05/02660-1 - Microeletrônica, Semicondutores - BV FAPESP
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos soi com espessuras nanométr...
Projeto e fabricação de circuitos integrados de micropotência em tecnologia SOI pa...
Projeto e fabricacao de circuitos integrados de micropotencia em tecnologia soi pa...
Introducao ao projeto de circuitos integrados soi aplicados a filtros a tempo cont...
Estudo da integração da tecnologia SIGE no processo CMOS e sua aplicação no desenvolvimento de um transponder em 915 MHz
Processo: 05/02660-1
Beneficiário: Hugo Ricardo Jimenez Grados
Assunto(s): Microeletrônica Semicondutores
Neste trabalho, o objetivo principal é o estudo da Integração de Processos SiGe num processo CMOS. Assim, poderemos pesquisar a utilização do SiGe visando otimizar o comportamento da tecnologia do silício e, em nosso caso, para aplicação no desenvolvimento de um transponder em 915 MHz, sendo a tecnologia SiGe uma atividade recente como é reportada pela literatura. Este trabalho se situa no campo de processos de fabricação de circuitos integrados e está orientado a fornecer aos projetistas facilidades para o desenho de circuitos integrados com o processo de fabricação CMOS local (CCS) integrado com processos SiGe visando alto rendimento e confiabilidade no desenho de circuitos de RF. O polisilício SiGe é um material de recente produção e caracterização no CCS.Um objetivo de projeto é fazer um layout com estruturas de dispositivos para caracterização e medidas de RF, além de incluir um chip de aplicação como parte do desenvolvimento de um transponder em 915 MHz.Sendo esta uma primeira fase de estudo da intenção inédita de fabricar um processo CMOS com a integração da tecnologia SiGe, primeiramente em alguma foundry (IHP) e, possivelmente, no CCS.