Bolsa 12/06916-4 - Semicondutores, Síntese - BV FAPESP
Sintese, caracterizacao e propriedades de transporte eletronico em nanofios semico...
Propriedades termoelétricas de nanofios semicondutores
Processo: 12/06916-4
Assunto(s): Semicondutores Síntese Fosfeto de índio Germânio Transporte eletrônico Nanofios
A presente proposta tem como objetivo a produção e caracterização de nanofios semicondutores monocristalinos. As nanoestruturas de interesse são nanofios de semicondutores como o germânio e o fosfeto de índio, ambos semicondutores "clássicos" e com potencial aplicação em dispositivos opto-nanoeletrônicos e que podem ser obtidos por rotas alternativas como o crescimento pelo mecanismo vapor-liquido-sólido catalisado por núcleos metálicos. Visando aperfeiçoar os processos de crescimento, pretende-se estudar algumas características estruturais e eletrônicas através de dispositivos baseados em um único ou em vários nanofios que serão desenvolvidos. Experimentos de transporte eletrônico deverão ser conduzidos permitindo: a caracterização dos mecanismos de condução, dos processos de espalhamento de portadores dominantes, da influência da desordem estrutural e superficial nos mecanismos de transporte. Como objetivos, buscam-se subsídios para o entendimento dos processos físicos envolvidos no transporte eletrônico e para o aperfeiçoamento da produção/aplicação de nanofios como elementos formadores (building blocks) de dispositivos nanoeletrônicos e nano-opto-eletrônicos.
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KAMIMURA, H.; DALMASCHIO, C. J.; CARROCINE, S. C.; RODRIGUES, A. D.; GOUVEIA, R. C.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J. Optoelectronic characteristics of single InP nanowire grown from solid source. MATERIALS RESEARCH EXPRESS, v. 2, n. 4 APR 2015. Citações Web of Science: 0.
KAMIMURA, H.; GOUVEIA, R. C.; DALMASCHIO, C. J.; LEITE, E. R.; CHIQUITO, A. J. Synthesis and electrical characterization of Zn3P2 nanowires. Semiconductor Science and Technology, v. 29, n. 1 JAN 2014. Citações Web of Science: 3.