Samsung iniciará produção em massa de chips de 3 nm na próxima semana | Mundo Conectado
Novo nó deverá ter desempenho 30% maior que o de 5 nm utilizado no Snapdragon 888
Por Willian Ferreira 22/06/2022 às 10:30:00 Reportar erro
Créditos: Babak no Unsplash
As fabricantes de semicondutores atualmente estão em uma corrida para quem oferece o primeiro processo de 3 nm do mercado, com a Samsung podendo vencer essa disputa. Isso porque, segundo informações publicadas pelo Yonhap News, a gigante sul-coreana deverá superar a TSMC e começar a fabricação do seu novo processo na semana que vem.
Esse novo nó da empresa deverá apresentar uma diminuição de aproximadamente 35% da sua área, tendo um desempenho 30% superior e com 50% menos consumo de energia que o nó de 5 nm da empresa, que foi utilizado no Exynos 2100 e no Snapdragon 888.
Os avanços do novo processo da Samsung são resultados da empresa mudar o projeto dos seus transistores para Gate-All-Around (GAA). Essa é a evolução esperada após o FinFET e, como apontado pelo GSMArena, permitirá que a fundição escolha os transistores sem afetar a capacidade do chip de transportar correntes.
A produção dos novos semicondutores da gigante sul-coreana irá acontecer na nova fábrica que ela está construindo no Texas, que inicialmente custaria US$ 10 bilhões mas a empresa investiu mais na instalação e gastou um total de US$ 17 bilhões. Recentemente o presidente dos Estados Unidos, Joe Biden, foi até as instalações da empresa em Pyeongtaek, na Coréia do Sul, para uma demonstração da tecnologia que será desenvolvida em seu país.
Um dos grandes problemas dos semicondutores da empresa é o seu rendimento, com a fabricante avisando em outubro que a sua tecnologia de 3 nm está "se aproximando de um nível semelhante ao do processo de 4nm". Mas, como lembrado pelo GSMArena, o nó de 4 nm da empresa apresentou diversos problemas de rendimento, inclusive forçando a Qualcomm alterar o projeto do Snapdragon 8 + gen 1 para o nó da TSMC.
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No cronograma oficial da Samsung ela já está planejando os seus futuros semicondutores, com uma versão de segunda geração do nó de 3 nm sendo desenvolvido no ano que vem. Em 2025 a fabricante pretende também lançar o processo de 2 nm, que contará com um avanço do design GAAFET para o MBCFET.