sottostrati jew ingotti kristalli ta talkarbur tassilikon (sic) nitrur talgallju (gan) nitrur talaluminju (aln) jew nitrur talaluminju gallju (algan) jew preformati oħrajn ta dawk ilmaterjali li għandhom reżistivitajiet ta aktar minn 10000 ohmcm ftemperatura ta 20 °c