Was ist der Drain-Source-Einschaltwiderstand eines MOSFET?
What is the drain-source on-resistance of a MOSFET?
MOSFET-Schaltelemente arbeiten im ein- und ausgeschalteten Zustand. Im eingeschalteten Zustand beträgt die Impedanz des Schalters theoretisch Null, und es wird keine Leistung im Schalter verbraucht, egal wie viel Strom durch ihn fließt. Im ausgeschalteten Zustand ist die Impedanz des Schalters theoretisch unendlich, daher fließt kein Strom und es wird keine Leistung verbraucht.
Der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) ist der effektive Widerstand zwischen dem Drain und der Source eines MOSFET, wenn dieser sich im eingeschalteten Zustand befindet. Dies geschieht, wenn eine bestimmte Gate-to-Source-Spannung (VGS) angelegt wird. Im Allgemeinen verringert sich der Einschaltwiderstand, wenn VGS zunimmt. Ein niedriger Einschaltwiderstand des MOSFET ist umso besser, da ein niedriger Widerstand die unerwünschte Verlustleistung reduziert und so die Energieeffizienz des Bauelements verbessert.
MOSFET switching devices operate in the on and off states. In the “on” state, the impedance of the switch is theoretically zero and no power is dissipated in the switch no matter how much current is flowing through it. In the “off” state, the impedance of the switch is theoretically infinite, therefore no current is flowing and no power is dissipated.
Thedrain-source on-resistance (RDS(on)) is the effective resistance between the drain and the source of a MOSFET when it’s in the on state. This occurs when a specific gate-to-source voltage (VGS) is applied. In general, as the VGS increases, the on-resistance decreases. The lower the MOSFET on-resistance, the better because a low resistance reduces undesired power dissipation, improving the power efficiency of the device.