Mühendislik Bilimleri ve Tasarım Dergisi, cilt.6, sa.1, ss.130-138, 2018 (Hakemli Üniversite Dergisi)
Bu çalışmada, Değiştirilmiş Akım Geriyönlü Geçiş-iletkenliği Kuvvetlendiricisi (Modified Current Backward Transconductance Amplifier-MCBTA) aktif elemanı kullanılarak yeni bir akım modlu dikgen sinüsoidal osilatör (quadrature sinusoidal oscillator) devresi tasarımı gerçekleştirilmiştir. Önerilen dikgen sinüsoidal osilatör devresi iki adet MCBTA, iki adet bir ucu topraklı kapasite elemanı ve bir adet bir ucu topraklı direnç elemanından oluşmaktadır. Önerilen devrenin akım çıkış uçları yüksek çıkış empedansına sahiptir ve ard arda bağlanmaya uygun yapıdadır. Osilasyon şartı bir direnç elemanı ile ve/veya MCBTA aktif elemanının geçiş iletkenliği parametresi (gm) ile kontrol edilebilmektedir. Önerilen devrenin doğruluğu PSPICE simülasyonları gerçekleştirilerek gösterilmiştir. MCBTA aktif elemanının CMOS gerçeklemesi TSMC 0.25 µm üretim parametreleri için gerçekleştirilmiş ve simülasyon sonuçları elde edilmiştir.