Two differences that contributes to write speed degradation:

1) DRAM stores data as a charge in a capacitor. NAND flash used SSDs stores the data as a charge in a floating gate. In DRAM, the charges simply flow through the transistor into the capacitor. In NAND flash, writing requires tunneling electrons into the floating gate. This damages the insulation and eventually more time is needed to successfully write the bit. 

The effects of NAND wear can manifest as higher error counts and SSD spare area decrease, both which can decrease SSD write performance. On the other hand, the difficulty in getting charges in and out of the floating gate is why SSDs are nonvolatile. DRAM must be refreshed constantly to keep the data which is why it needs a constant electric supply. The charge will leak out of the capacitor in the order of milliseconds.

2) DRAM has a more fine-grained addressing mechanism. Current SSDs can only be erased in "blocks," which is a large chunk of data. So in the course of usage, the SSDs controller will have to read a whole block, change data in a portion of the block in memory, erase the block, and then write. If fresh blocks are available, then it can skip the 'erase' stage and write the block. TRIM will try to minimize the churn involved in writing to a dirty block, but SSDs are always fastest fresh out of a complete wipe.

Flash can be much more compact than DRAM because it lacks the extra circuitry needed for addressing. 

Generally speaking, SSD write performance will quickly degrade upon first use after a clean wipe and remain stable until the end of the line.
ලිවීමේ වේගය පිරිහීමට දායක වන වෙනස්කම් දෙකක්: 1) DRAM ධාරිත්‍රකයක ආරෝපණයක් ලෙස දත්ත ගබඩා කරයි. NAND flash භාවිතා කරන SSDs දත්ත ආරෝපණයක් ලෙස පාවෙන ගේට්ටුවක ගබඩා කරයි. DRAM හි, ආරෝපණ ට්‍රාන්සිස්ටරය හරහා ධාරිත්‍රකයට ගලා යයි. NAND ෆ්ලෑෂ්හි, ලිවීමේදී පාවෙන ගේට්ටුවට ඉලෙක්ට්‍රෝන උමං කිරීම අවශ්‍ය වේ. මෙය පරිවරණයට හානි කරන අතර අවසානයේ බිට් එක සාර්ථකව ලිවීමට වැඩි කාලයක් අවශ්ය වේ. NAND wear හි බලපෑම් වැඩි දෝෂ සංඛ්‍යාවක් සහ SSD අමතර ප්‍රදේශය අඩු වීම නිසා ප්‍රකාශ විය හැක, මේ දෙකම SSD ලිවීමේ ක්‍රියාකාරිත්වය අඩු කළ හැකිය. අනෙක් අතට, පාවෙන ගේට්ටුව තුළට සහ ඉන් පිටතට ගාස්තු ලබා ගැනීමේ දුෂ්කරතාවය වන්නේ SSDs වාෂ්පශීලී නොවේ. දත්ත තබා ගැනීම සඳහා DRAM නිරන්තරයෙන් නැවුම් කළ යුතුය, ඒ නිසා එයට නියත විදුලි සැපයුමක් අවශ්‍ය වේ. ආරෝපණය මිලි තත්පර අනුපිළිවෙලින් ධාරිත්‍රකයෙන් කාන්දු වේ. 2) DRAM හි වඩාත් සියුම් ලිපින යාන්ත්‍රණයක් ඇත. වත්මන් SSD මකා දැමිය හැක්කේ විශාල දත්ත කොටසක් වන &quot;බ්ලොක්&quot; තුළ පමණි. එබැවින් භාවිතා කරන අතරතුර, SSDs පාලකයට සම්පූර්ණ බ්ලොක් එකක් කියවීමට, මතකයේ ඇති බ්ලොක් කොටසක දත්ත වෙනස් කිරීමට, බ්ලොක් එක මකා දැමීමට සහ පසුව ලිවීමට සිදුවේ. නැවුම් කුට්ටි තිබේ නම්, එය &#39;මකන්න&#39; අදියර මඟ හැර බ්ලොක් එක ලිවිය හැක. TRIM අපිරිසිදු බ්ලොක් එකකට ලිඛිතව බාධා කිරීම අවම කිරීමට උත්සාහ කරනු ඇත, නමුත් SSDs සෑම විටම සම්පූර්ණ පිසදැමීමකින් වේගවත්ම නැවුම් වේ. ෆ්ලෑෂ් DRAM වලට වඩා බොහෝ සංයුක්ත විය හැක, මන්ද එය ඇමතීමට අවශ්‍ය අමතර පරිපථයක් නොමැති බැවිනි. සාමාන්‍යයෙන් කිවහොත්, පිරිසිදු පිසදැමීමෙන් පසු පළමු භාවිතයේදී SSD ලිවීමේ කාර්ය සාධනය ඉක්මනින් පිරිහෙන අතර පේළියේ අවසානය දක්වා ස්ථාවරව පවතී.