Karena mobilitas elektron lebih tinggi daripada lubang mobilitas untuk semua bahan semikonduktor, sebuah transistor bipolar yang diberikan cenderung lebih cepat daripada pánánp. Ga As memiliki mobilitas elektron tertinggi dari tiga semikonduktor. Hal ini untuk alasan ini bahwa GaA digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi. Perkembangan FET yang relatif baru-baru ini, transistor berelektrik tinggi (HEMT), memiliki sebuah heterostruktur (junksi antara bahan semikonduktor) dari alumin gallium arsenida (AlGaas)-galium arsenida (Gaas) yang memiliki dua kali mobilitas elektron dari persimpangan penghalang GaA-metal. Karena kecepatan tinggi dan kebisingannya rendah, HEMT digunakan dalam penerima satelit yang bekerja pada frekuensi sekitar 12 GHz. HEMT berdasarkan gallium nitrida dan aluminium gallium nitrida (AlGaN/GaN HEMTs) menyediakan mobilitas elektron yang lebih tinggi dan sedang dikembangkan untuk berbagai aplikasi.
Apa saja penerapan umum HEMT?
penerima satelit