Dalam FET, aliran arus drain-to-source melalui saluran yang mengatur yang menghubungkan daerah sumber ke daerah pembuangan. Konduktivitas ini bervariasi oleh medan listrik yang dihasilkan ketika tegangan diterapkan antara gerbang dan sumber terminal; sehingga arus arus antara saluran pembuangan dan sumber dikendalikan oleh tegangan diterapkan antara gerbang dan sumber. Seraya gerbang sumber daya meningkat, aliran air (IDS) meningkat secara eksponensial bagi VGS di bawah ambang batas, dan kemudian pada laju quadratik (GS VT) 2) (di mana VT adalah threshold voltase saat saluran arus mulai) di daerah "space-charge-limited" di atas ambang batas. Perilaku kuadrat tidak diamati dalam perangkat modern, misalnya, pada node teknologi 65 nm.
Mengapa perilaku kuadrat tidak diamati dalam perangkat modern?
daerah pembuangan