Pada akhir 1990-an, LED biru menjadi tersedia secara luas. Mereka memiliki wilayah aktif yang terdiri dari satu atau lebih sumur kuantum InGaN terjepit di antara lapisan tebal GaN, yang disebut lapisan kladding. Dengan variasi relatif In/Ga Fraction di sumur kuantum InGaN, emisi cahaya dapat dalam teori bervariasi dari violet ke amber. Aluminium gallium nitrida (AlGaN) dari fraksi Al/Ga dapat digunakan untuk memproduksi cladding dan lapisan sumur kuantum untuk ultraviolet LEDs, tetapi perangkat ini belum mencapai tingkat efisiensi dan kemajuan teknologi dari perangkat biru/GAN/hijau. Jika gaN un-alloyed digunakan dalam kasus ini untuk membentuk lapisan sumur kuantum aktif, perangkat akan memancarkan cahaya dekat-ultraviolet dengan panjang gelombang puncak berpusat sekitar 365 nm. LED hijau diproduksi dari sistem InGaN/GaN jauh lebih efisien dan lebih terang daripada LED hijau diproduksi dengan sistem material non-nitride, tetapi perangkat praktis masih menunjukkan efisiensi terlalu rendah untuk aplikasi kebrighting tinggi.[citasi dibutuhkan]
Lapisan apa itu?
wilayah aktif yang terdiri dari satu atau lebih sumur kuantum InGaN terjepit di antara lapisan tebal GaN