messages: Ainsi, après gravure, la couche de silicium polycristallin dopé de type P 123 est en contact avec la surface supérieure de la couche épitaxiée 101 dans une portion qui correspond à la zone hachurée 232 de la figure 2A.
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messages: Auriez-vous l'amabilité de changer ce texte de français en anglais ?
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messages: Thus, after etching, the P-type doped polysilicon layer 123 is in contact with the upper surface of epitaxied layer 101 in a portion which corresponds to hatched area 232 of FIG. 2A.
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