光刻機的工作原理是利用紫外線光源將圖案投影在矽晶圓的表面，並透過光刻胶在矽晶圓表面形成定位、標記、線道等圖案形狀，最後再利用化學蝕刻方式，刻蝕出含有電晶體、電容等元件的二極體晶片。主要分為三個步驟：曝光、映像和蝕刻。具體操作過程如下：
1. 曝光：首先，需要將矽晶圓覆蓋上一層光刻胶，然後使用一個投影鏡將需要刻印的圖案投射到光刻胶表面。
2. 映像：接下來，將投影的圖案映射在光刻胶上，使得胶層部分被曝光。曝光讓光刻胶中的聚合物化學反應發生，形成了定位、標記、線道等圖案形狀。
3. 蝕刻：完成映像之後，將該矽晶圓移至蝕刻機上，使用一定的化學溶液來大面積地溶解光刻胶，形成了電晶體、電容等元件的二極體晶片。
總體而言，光刻機的主要原理就是遵循了“曝光-映像-蝕刻”的流程，最終形成了微細的電子元器件。這種技術的進步被看作是促成半導體工業快速發展的重要因素之一。
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