1947年，贝尔实验室发明第一只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展。

1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片。

1960年代，仙童提出CMOS IC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。

1970年代，GCA开发出第一台分布重复投影曝光机，集成电路图形线宽从1.5μm缩小到0.5μm节点。

1980年代，美国SVGL公司开发出第一代步进扫描投影曝光机，集成电路图形线宽从0.5μm缩小到0.35μm节点。

1990年代，n1995年，Cano着手300mm晶圆曝光机，推出EX3L和5L步进机； ASML推出FPA2500，193nm波长步进扫描曝光机。光学光刻分辨率到达70nm的“极限”。

2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，NGL正在研究，包括极紫外线光刻技术，电子束光刻技术，X射线光刻技术，纳米压印技术等。

光刻机的结构主要分为曝光系统、对准系统、调节系统和控制系统。其中曝光系统是光刻机的核心部分，包括光源、投影镜头等。常见的光刻机主要分为两种，一种是传统的光学光刻机，另一种是采用电子束曝光的粒子束光刻机。在这两种光刻机中，光刻机的曝光系统都是由大功率的光源和光路组成的，完成光学图案的生成和放大。对准系统是光刻机中非常重要的一个环节，它可以将芯片的图形和掩模对准，保证曝光点位的准确性。调节系统则是光刻机进行微调的关键部分，可以保证曝光点的精度和稳定性。控制系统则是光刻机的大脑，实现对光刻机各个部分的控制和监测。
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