als_Latn dik_Latn tur_Latn
EEPROM
EEPROM (i shkruajtur edhe E2PROM), akronim i Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, është një tip i përdorur tek kompjutarat dhe pajisje të tjera elektronike për të memorizuar sasi të vogla të dhënash që duhet të mbahen kur hiqet ushqimi (pre shembull konfigurimi i pajisjes). Veprimet e shkrimit, fshirjes dhe rishkrimit zhvillohen në mënyre elektrike.
Çdo celule e memories e aftë për të memorizuar një bit të vetëm është e ndërtuar nga 2 transistorë MOS, një për memorie dhe një për akses.
Përmbajtja
Lindja e teknologjisë[redakto | redakto tekstin burimor]
Më 1978 George Perlegos i Intel zhvilloi Intel-i 2816 duke u bazuar në teknologjinë EPROM, por duke përdorur një shtresë të hollë oksidi për gate-in. Në ketë mënyre cip-i mund të fshije bit-et e tij pa kërkuar përdorimin e burimi UV. Në vazhdim Perlegos e të tjerë lëne Intel për të krijuar Seeq Technology, që shtoi tek pajisja pompa karikimi për të dhenë voltazhe të tjera të nevojshme për të prodhuar EEPROM-e.[1]
Teknologjia EEPROM është zhvilluar duke u bazuar tek teknologjia paraardhëse EPROM për të shmangur problemin e fshirjes së armeve. Tek EPROM-et, fshirja kryhet si pasoje e ekspozimit të rrezatimit UV, si pasoje veprimeve logjike pa dashje (heqja nga skeda ku ndodhet).
Transistori i memories[redakto | redakto tekstin burimor]
Transistori i memories ka dy gate.
I pari është një gate tradicional, i lidhur në mënyre elektrike me pjesën tjetër të grupit. Kjo teknologji është mbiquajtur control gate. Gate-i i dyte është i mbytur në oksid dhe si pasoje është i izoluar elektrikisht. Ky është i ndarë nga gate-i i parë, si edhe nga kanali i transistorit, nëpërmjet një shtresë shumë të hollë materiali izolant. Për këtë arsye quhet floating gate.
Në ndryshim nga EPROM-et, tek EEPROM-et ka një zonë në ndryshim nga drain, ku spesori i shtrese së oksidit që ndan "floating gate"-in nga kanali është zvogëluar në atë pikë sa lejon kalimin e elektroneve si pasoje e efekti tunel (Fowler-Nordheim).
Transistori i memories programohet komandimit në tension të "control gate"-it. Ndryshimi i potencialit ku kjo ekspozohet determinon, në zonën ku spesori i zvogëluar i oksidit izolues e bën të mundshëm. Manifestimi i efektit tunel është një tërheqje e elektroneve nga "drain"-i tek "gate"-i i mbytur.
Transistori i aksesit[redakto | redakto tekstin burimor]
Si në rastin e memorieve EPROM, edhe memoriet EEPROM dëshmojnë një kritikë në rastin e fshirjes. Procesi i shkarkimit të floating gate mund të determinoje, si efekt të padëshiruar, grumbullimin e një ngarkese pozitive me ndryshim të tensionit të pajisjes. Problemi është zgjidhur me futjen e transitoreve të aksesit, që janë pjesë e integruar e shasise se memories EEPROM.
Prezenca e këtyre te fundit determinon një madhësi më të madhe se sa ajo e memories EPROM. Për të përmirësuar këtë problem lindi memoria flash. Memoriet flash ndryshojnë nga memoriet EEPROM për shkak se programimi bazohet, në rastin e fundit, në fenomenin fizik të induksionit, dhe jo në atë të efektit tunel.
Një transistor aksesi, i komanduar nga word line, luan gjithashtu rolin e të venit në komunikim të transistorit të memories me "bit line"-en kur është e nevojshme të lexohet e dhenë binar e magazinuar nën formës të ngarkesës elektrike në brendësi të kanalit të transistorit.
Kufizime[redakto | redakto tekstin burimor]
Ka dy kufizime tek informacioni i magazinuar: rezistenca dhe rimbajtja.
Gjatë rishkrimeve, oksidi i gate-it tek transistorët floating-gate mbledh gradualisht elektrone të bllokuar në gracke. Fusha elektrike e këtyre elektroneve shumohet me ato të elektroneve në floating-gate, duke ulur dritaren tensioneve të zerove në raport me njëshat. Pas një numër të caktuar ciklesh rishkrimi, diferenca behet shumë e vogël për të qenë e matshme, celula është e bllokuar në gjendjen e programuar dhe verifikohen probleme rezistencë. Prodhuesit zakonisht specifikojnë një numër maksimal rishkrimesh të barabarte me 106 ose më të lartë.
Në gjendjen e programuar, me kohën elektronet në brendësi të floating gate mund të dalin përtej izolantit, sidomos në temperatura të larta. Kjo shkakton një humbje ngarkese, duke çuar celulën në gjendje të fshire. Zakonisht prodhuesit garantojnë një zgjatje të ruajtjes se të dhënave për 10 ose më shumë vite.[2]
Konsiderime përfundimtare[redakto | redakto tekstin burimor]
EEPROM-i është komponenti elektronik më i përhapur që shfrytëzon parimet e mekanikes kuantike.
Bibliografi[redakto | redakto tekstin burimor]
- Angelo Geraci, Principe elektronike të sistemeve digjitale", editor McGraw-Hill
Zëra të lidhur[redakto | redakto tekstin burimor]
Shënime[redakto | redakto tekstin burimor]
- ^ Rostky, George (July 2, 2002). "Remembering the PROM knights of Intel". EE Times. Retrieved on 2007-02-08.
- ^ System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits
fur_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn als_Latn eng_Latn eng_Latn