Samsung ontwikkelt nieuwe I, O Mobile DRAM Met behulp van 50 nm Klasse Process Technology
Samsung Electronics Co, Ltd, de wereldleider in geavanceerde geheugen technologie, kondigde vandaag de ontwikkeling van een gigabit (Gb) mobiele DRAM met een grote I / O interface, met behulp van 50 nanometer class procestechnologie.
De nieuwe brede I / O mobiele DRAM zal worden gebruikt in mobiele toepassingen, zoals smartphones en tablet-pc's.
"Na de ontwikkeling van 4Gb LPDDR2 DRAM (low-power DDR2 dynamic random access memory) vorig jaar, onze nieuwe mobiele DRAM-oplossing met een grote I / O-interface een belangrijke bijdrage aan de vooruitgang van de high-performance mobiele producten," aldus Byungse Dus, senior vice president, geheugen product planning & application engineering bij Samsung Electronics. "We zullen doorgaan met agressief uitbreiden van onze high-performance mobiele geheugen productlijn verder te stuwen de groei van de mobiele industrie."
De nieuwe 1Gb grote I / O mobiele DRAM kunnen zenden gegevens op 12,8 gigabyte (GB) per seconde, wat de bandbreedte van de mobiele DDR DRAM (1,6 GB / s) achtvoudige toeneemt, terwijl het verminderen van het energieverbruik met ongeveer 87 procent. De bandbreedte is ook vier keer die van LPDDR2 DRAM (dat is ongeveer 3,2 GB / s).
Om meer gegevensoverdracht, grote I / O van Samsung DRAM maakt gebruik van 512 pins voor data-input en output in vergelijking met de vorige generatie van mobiele DRAM's, die een maximum van 32 pinnen gebruikt. Als je de pinnen die betrokken zijn bij het versturen van opdrachten en reguleren van de voeding, is een enkele Samsung breed I / O DRAM ontworpen om ongeveer 1.200 pinnen tegemoet te komen.
Na deze I / O DRAM lancering, is Samsung gericht op het 20nm-klasse 4Gb brede I / O mobiel DRAM ergens in 2013 te verstrekken. Het bedrijf recente prestaties in mobiele DRAM zijn introductie van de eerste 50nm-class 1Gb LPDDR2 DRAM in 2009 en de eerste 40nm-class 2Gb LPDDR2 in 2010.
Samsung zal een document met betrekking tot brede I / O-DRAM-technologie op de 2011 International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) wordt gehouden van 20-24 februari in San Francisco.
Volgens iSuppli zullen mobiele DRAM's percentage van de totale jaarlijkse DRAM zendingen stijgen van circa 11,1 procent in 2010 naar 16,5 procent in 2014.